پروژه مکانیک شکست. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 100 صفحه

مقدمه:

یکی از عمده ‌ترین مسائلی که انسان از زمان ساختن ساده‌ترین ابزارها با آن مواجه بوده است پدیده شکست در اجسام می‌باشد و درواقع برای استفاده از مواد به صورت ابزارهای گوناگون باید مقاومت آنها را نیز می‌دانست. بنابراین به جرأت می‌توان گفت که علم مقاومت مصالح عمری برابر عمر تاریخ دارد. البته روند شناخت و برآورد مقاومت اجسام از روشهای تجربی و ابتدایی شروع شده و به روشهای کاملاً علمی قرن حاضر رسیده است.

علم مقاومت مصالح دارای شاخه‌های گوناگونی می باشد که رشد قابل توجهی داشته اند. یکی از شاخه های این علم با کاربرد زیاد و تحلیل علمی نسبتاً مشکل، مکانیک شکست می‌باشد. به توجه به لزوم بکارگیری مواد جدید و گوناگون در گسترة وسیع تکنولوژی معیارهای نوینی در روش های طراحی را الزامی نموده است. در این میان علم مکانیک شکست مورد توجه خاصی قرار گرفته است.

مکانیک شکست به عنوان نظم مهندسی در دهه 1950 و توسط آقای Georg Rirwin در لابراتور تحقیقاتی ناوال (NRL) معرفی شد. درسالهای بعد در دهه 1960 مفاهیم مکانیک شکست طی تحقیقات مختلف در دانشگاهها و مراکز تحقیقاتی گسترش داده شدند. اصول مکانیک شکست کاربردهای مختلفی در طراحی مهندسی شامل آنالیز شکست سازهای تردد و پیش بینی گسترش ترک خستگی ، دارند. با توجه به اینکه 80 درصد شکست‌های ترد ریشهدر گسترش ترک خستگی دارند استفاده از مکانیک شکست می‌تواند بسیارمفید باشد.

فهرست مطالب:

مقدمه

تاریخچه‌ای از مکانیک شکست

تحقیقات اولیه در مکانیک شکست

تجربه کشتی‌های لیبرتی (Liberty)

3-1- طراحی با روش مکانیک شکست

1-3-1- معیار انرژی

2-3-1- روش ضریب شدت تنش

3-3-1- تلرانس خرابی

1-2- مقدمه:

2-2- شکست در مقیاس اتمی

4-2 موازنه انرژی گریفیث

1-4-2- ترمیم معادله گریفیث

1-3- مقدمه

3-4- شکل منطقه پلاستیک

5-4- ضریب قید پلاستیک

6-4- اثر ضخامت

1-5- نرخ رهایی انرژی

2-5- معیار رشد ترک

3-5- مقاومت ترک (منحنی R)

1-6- مقدمه

2-6- تغییر مکان نوک ترک CTOD

3-6- انتگرال مداری J

1-3-6- نرخ رهایی انرژی غیرخطی

2-3-6- J بعنوان یک انتگرال مستقل از مسیر

3-3-6- J بعنوان یک ضریب شدت تنش

4-3-6- منطقه کرنش بزرگ

5-3-6- اندازه گیری J با آزمایش

4-6- رابطه بین J و CTOD

1-7- مقدمه

3-8- رشد ترک در حالت خزش

4-8- مکانیک شکست ویسکوالاستیک

1-4-8- ویسکوالاستیسیته خطی

2-4-8- انتگرال ویسکوالاستیک

اصل وابستگی

انتگرال کلی J

راه اندازی و رشد ترک

3-4-8- انتقال از رفتار خطی به رفتار غیرخطی

پروژه سیستم‌های اطلاعات (مدیریت MIS). doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 34 صفحه

چکیده:

این مقاله سیستم‌های اطلاعات مدیریت MIS را پوشش می دهد. از آنجا که MIS ترکیبی از سه پدیده سیستم ، اطلاعات و مدیریت می‌باشد ابتدا این موارد را بررسی میکند. به علت تأثیرات قابل توجه سیستمهای اطلاعاتی بر روی MIS   مبحث دیگر مقاله،  درباره آن می‌باشد. متخصصان اطلاعاتی شامل تحلیل‌گر سیستمها، مدیران پایگاههای داده، متخصصان شبکه، برنامه‌نویس ها و اپراتورها در قسمت بعدی بررسی شده است. بعد از بررسی اجزای MIS به سیستم‌های اطلاعات مدیریت در حالت کلی پرداخته می‌شود.سیستمهای پشتیبانی تصمیم(DSS) ، تأثیرات هوش مصنوعی و سیستم‌های خبره بر روی این سیستم‌ها دیگر مبحث مقاله می باشند. آخرین قسمت نتیجه گیری، همراه با ذکر بعضی نظرات در باب مزایا و معایب کنترل از طریق نرم افزار و گسترش آن در عصر اینفوکراسی یا اطلاع‌سالاری می باشد.

مقدمه:

موضوع این بحث مقاله سیستم اطلاعات مدیریت می باشد سیستم اطلاعت مدیریت به معنی مدیریت برپایه اطلاعات می باشد همانطور که می دانیم برای مدیریت درقرن 21 نمی دانیم از دوعامل چشم پوشی کنیم:

1-استراتژی رقابت؛ و 2-کاهش هزینه ها،  که خودیک سیاست رقابت صادراتی می باشد.برای لحاظ کردن این دواستراتژی به کاربردن سیستم های اطلاعات مبنی برفن آوریهای اطلاعت وارتباطات ضروری می نماید.

مدیران امروز، باانبوهی اطلاعات روبرو هستند. اطلاعاتی که به عنوان داده های سیستم بایستی پردازش گردیده وقابل فهم وتمیرو نگهداری وبازیابی گردد. از طرف دیگرسیستم های مدیریت وابزارهای کنترل درطول زمان تغییرات زیادی پیدا کرده اند این تغییرات رامی توان درچهارزمینه کلی عنوان کرد:1-کنترل سنتی  2-کنترل بروکراتیک  3-کنترل کاریزماتیک  4-کنترل اینفورماتیک .

درساختاهای سنتی فئودالی، کنترل ازطریق سنت، ادراک واعمال می شد، مقامات کنترلی به طورسنتی وموروثی به نسلهای بعدمنتقل می گردید وجامعه نیزاین نوع ساختار کنترلی راچون سنت بود می پذیرفت وبدان گردن می نهاد. دروضعیت کاریزماتیک، کنترل از طریق رابطه بین رهبرو پیروان اعمال می گردید. دراین حالت، رهبران کاریزما، شیوه عمل را انتخاب می کردند وپیروان نیزازآنها تبعیت می کردند زیرا آنها را قبول داشتند. دربروکراسی، کنترل درساختارسازمانی تعبیه می شد، ساختاری که برقانون ومقررات استوار بود وجنبه غیرشخصی داشت وتبعیت از آن الزامی بود. دراینفوکراسی، کنترل ازطریق نرم افزارها اعمال می‌شود. مجموعه دانشها وآگاهیهای تخصصی، بسیاررشد کرده است واینفوکراسی می تواند هرنوع اطلاعاتی راازطریق شبکه های الکترونیکی بدست آورد. ازسیستم های خبره، استفاده کند وبه تمامی دانشهای تخصصی وحرفه ای مجهز شود (زاهدی 1380،123).

باتوجه به ویژگی خطیرسیستم های اطلاعاتی مدیریت، مدیراین سیستم ها هم ارزش بسیار زیادی برخوردارند. دامنه حقوق پراختی به این افراد درآمریکا سالیانه 100000تا 300000 دلاراست (مومنی 1372،32). عملاً کارمدیر سیستم اطلاعات مدیریت ارائه گزارشات روزآمد واطلاعات مفید به مدیرشرکت یا موسسه برای برنامه ریزی های آینده وتصمیم گیری می باشد این مدیر برای گردآوری داده ها وپردازش آنها نیاز به سیستم های اطلاعاتی ورایانه‌ای وحتی سیستم های خبره می باشد پس مدیریت سیستم هم باید دید مدیریتی وسیستمی داشته واز امکانات سیستم های اطلاعاتی وفن آوری اطلاعات استفاده کند که لازمه این استفاده، دانش سوادرایانه‌ای وسواد اطلاعاتی می باشد.

درباره بوجود آوردن چارچوب برنامه‌ریزی مدیریت کتابخانه که بر اساس مفهوم سیستم‌های اطلاعات مدیریت پی‌ریزی شده باشد، کارهایی توسط همبرگ و دیگران[1](1978) انجام گرفته است. آنها چارچوبی بر خدمات و مفاهیم کتابخانه ارائه دادند که بر اساس مسائل تصمیم گیری ممکن در کتابخانه و بحث درباره عناصر داده‌های مورد نیاز برای پشتیبانی از چنین تصمیماتی شکل گرفته بود. بومر و کروبا (1983) شش حوزه کلیدی اخذ داده‌های مورد لزوم برای تصمیم‌گیری مدیریت را شناسایی کرده‌اند. این حوزه‌ها عبارتند از: مجموعه‌گستری خدمات فنی، خدمات مرجع و کتابشناختی، دسترسی مجموعه، دسترسی امانت بین کتابخانه‌ای و امکانات فیزیکی. بطورکلی می‌توان گفت که گزینش عناصر داده‌ها و انتخاب روشی بر گردآوری آنها هسته سیستم اطلاعات مدیریت کتابخانه می باشد(Kraft,Boyce 1991, 138,144 ).

فهرست مطالب:

چکیده

مقدمه

مفاهیم سیستمها

روش سیستم ها ودیدگاه سیستمی

چرخه حیات سیستم

اطلاعات

سیستمهای اطلاعاتی

سیستم های اطلاعاتی ورایانه‌ها

متخصصان اطلاعاتی

پایگاه داده -پرونده(فایل)-سند(رکورد)-عنصرداده

کاربرد سیستم اطلاعاتی رایانه‌محور

سیستم های اطلاعات مدیریت MIS

اداره  مجازی (Virtual office)

سیستم های پشتیبانی تصمیم(DSS)

هوش مصنوعی سیستم های خبره وتأثیرآن برسیستم های پشتیبانی تصمیم

نتیجه

فهرست منابع

منابع و مأخذ:

بهان، کیت، هولمز، دیانا.1377. آشنایی با تکنولوژی اطلاعات. ترجمه مجید آذرخش، جعفر مهرداد. تهران: سمت.

 رولی، جینفر. 1380. مبانی سیستمهای اطلاعاتی. ترجمه زهراسیف کاشانی، نجیبه افنانی. تهران: سمت

زاهدی، شمس السادات 1380. فن‌آوری اطلاعات وکنترل درعصراینفوکراسی .درمجموعه مقالات دومین همایش علمی وپژوهش نظارت وبازرسی درکشور. تهران: دانشکده مدیریت دانشگاه تهران، سازمان بازرسی کل کشور. 127-116.

مک لوید، ریموند. 1378. سیستم های اطلاعات مدیریت. ترجمه مهدی جمشیدیان، اکبر مهدی‌پور عطاآبادی. اصفهان: دانشگاه اصفهان؛ سازمان برنامه و بودجه استان اصفهان.

مؤمنی، هوشنگ .1372. سیستم های اطلاعاتی مدیریت MIS. تهران: اتحاد.

Curtin et al. 1998. Information technology: the breaking wave. Boston: Irvin; McGraw-Hill.
Kraft, Donald; Boyce, Bert R. 1991. Operations research for libraries and information agencies…. Sandiego: academic press.
Mcleod, Raymand.1998.Management information systems. Seventh ed. Newjersy: prentise Hall.

پروژه ناشنوایی و کم شنوایی از منظر مدیریت آموزشی. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 87 صفحه

مقدمه:

کودکان ناشنوا وکم شنوا گرومتجانسی را تشکیل نمی دهند.

اولین دلیل آن است که آنها کودکانی هستند که تمام ویژگیهای انفرادی کودکان دیگر رادارا می باشند. ثانیا نقصی که دارند نیز جنبه فردی دارد.انها همگی از نوع اختلال شنوایی رنج می برند. اما درجه شدت این اختلال وسنی که اختلال در آن رخ داده است، نوع اختلال وعلت آن همگی هر کودک را منحصر به فرد می سازند.این تفاوتها همراه باعواملی دیگر معلمان ویژه را با مشکلات تازه ای روبه رو می سازند.

نکته ای که در این جا یادآوری آن از اهمیت برخوردار است این است که نقص شنوایی بر توانایی هوشی تاثیری ندارد. اما بدون درمانهای اولیه، این نقص می تواند بر رشد هوشی ونحوه ارتباط کودک با خانواده ودیگران تاثیر بگذارد.

فهرست مطالب:

ناشنوایی و کم شنوایی

تعاریف

شدت نقص شنوایی

ارتباط نقص شنوایی وسن

انواع نقایص شنوایی

نقص شنوایی

نقایص شنوایی حس –عصبی

علل نقایص شنوایی

ابتلای مادر به بیماری روبلا

وراثت

ناراحتیهای دوران بارداری وتولد

بیماریهای کودکی

میزان شیوع

نیمرخهای رشد

ویژگیها

رشد شناختی

رشد زبان

پیشرفت تحصیلی

سازگاری اجتماعی وشخصی

شناسایی وتشخیص

نقش معلم در کلاس

آزمونهای شنوایی سنجی

ملاحضات آموزشی

محیط یادگیری

آموزشهای اولیه

مدرسه ابتدایی

مدرسه متوسطه

برنامه های بعد از دبیرستان

مهارتهای ارتباطی

شیوه های ارتباطی

شیوه زبانی-گوشی

شیوه شنیداری:

شیوه دستی

شیوه ارتباط ترکیبی

تحقیقات انجام شده در شیوه های ارتباطی

مسائل زبان

گروه آموزشی

استفاده از تکنولوژی

وسایل کمک شنوایی

کامپیوتر

پیشرفتهای دیگر تکنولوژیکی

کودکان مبتلا به معلولیتهای چندگانه

دوران بزرگسالی و مسائل مربوط به زندگی

خلاصه نکات مهم

مسائل حل نشده

فهرست جداول

جدول 7-1 شدت نقص شنوایی وتاثیرات اموزشی آنها

جدول 7-2 متغیرهای شش گانه وهمبستگی انها با پیشرفت خواندن دانش آموزان ناشنوا

پروژه اصول و طراحی سیستم انبارداری. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 80  صفحه

مقدمه:

تعریف و اصطلاحات:

1-تعریف مال

چیزی که قابل  تملک، مبادله و ارزش باشد اصطلاحاً مال  گفته می شود. به موجب آیین نامه اموال دولتی :(کلیه اموالی نه در تصرف مالکانه وزارتخانه یا مؤسسه دولتی بوده  یا به  نحوی ازآنجا به تصرف مالکانه انها درآید ،  به عنوان اموال دولتی محسوب می شود.)

2-اموال غیر منقول

اموالی که غیر قابل  حمل و انتقال  باشد، به نحوی  که حمل  و جابجایی آن موجب خرابی آن مال گردد اموال غیر منقول نامیده می شود.

3-اموال منقول

اموالی که نقل آن از محلی به محل دیگر بدون اینکه لطمه ای به آن وارد شودامکان پذیر باشد در ردیف اموال منقول قرار می گیرد. به موجب همین آیین نامه اموال اموال منقول به دو دسته تقسیم می شود:

الف-اموال مصرفی:شامل اموالی است که بر اثر استفاده  جزیی یا کلی از بین می روند مانند مواد مصرفی،خوردنی و...

ب-اموال غیر مصرفی: شامل اموالی است که بدون تغییر محسوس و از دست دادن مشخصات اصلی بتوان آن را مکرر مورد استفاده قرار داد.

اموالی که به علت کمی قیمت ارزش نگهداری حساب اموالی نداشته باشد،مانند مصالح و لوازم یدکی اتومبیل در ردیف اموال (در حکم مصرفی) محسوب میشود. اموال در حکم مصرفی اغلب با اموال دیگرغیر از خود مورد استفاده قرار می گیرند.مانند لوازم یدکی.

طبق قانون محاسبات عمومی کشور محل نگاهداری اسناد اموال دولتی ادارهکل اموال دولتی وزارت امور اقتصادی و دارایی می باشد و کلیه عملیات

مربوط به ثبت اموال دولت طبق آیین نامه اموال دولتی به اجرا گذارده میشود. طبق این آیین نامه اموال مربوط به دولت به چهار طبقه تقسیم می شود.

4-ذیحساب و وظایف آن

ذیحساب مأموری است که به موجب حکم وزارت امور اقتصادی و دارایی به منظور اعمال  نظارت و  تأمین  هماهنگی لازم  در اجرای مقررات مالی  و محاسباتی در وزارتخانه یا مؤسسه و شرکتهای دولتی و دستگاههای اجرایی محلی و مؤسسات و نهادهای عمومی غیر دولتی به این سمت محسوب میشود.

اهم وظایف ذیحساب در ارتباط با اموال به شرح زیر است:

- نظارت بر امور مالی و محاسباتی و نگاهداری  و تنظیم حسابها طبق  قانون و ظوابط و مقررات مربوط و صحت و سلامت آنها

- نظارت بر حفظ اسناد و دفاتر مالی

- نگاهداری حساب اموال دولتی و نظارت بر اموال مذکور

5-جمعدار اموال و وظایف آن

به  موجب  ماده  34  قانون  محاسبات عمومی  مصوب  شهریور  ماه  1366 اصطلاح «جمعدار» به امین اموال تغییر نام پیدا کرده است طبق این قانون امین اموال مأموری است  که از بین  مستخدمین واجد صلاحیت و امانت دار با حکم وزارتخانه یا مؤسسه مربوط به این سمت منصوب می گردد و مسئولیت حراست و تحویل و تنظیم حسابهای اموالی و اوراقی که در حکم وجه نقد است وکالاهای تحت ابواب جمعی به عهده او واگذار می شود.

اهم وظایف امین اموال به شرح زیر است:

- اختصاص شماره برچسب به اموال غیر مصرفی

- تنظیم و نگاهداری حساب اموال صورتحساب اموال رسیده و فرستاده

- ثبت مشخصات اموال در دفاتر مربوط

- صورت برداری از اموال هر اطاق و تحویل آن مسئول واحد مربوط

6-بودجه و اعتبار

بودجه  کل  کشور  برنامه مالی  دولت  برای  یک سال  مالی است  که  در آن درآمدها و سایر منابع اعتبارو برآورد هزینه ها پیش بینی می شود  وبه هدفهای دولت در اجرای برنامه های مالی تحقق می بخشد .بودجه هر سازمان نیز شامل پیش بینی درآمدها و هزینه های مربوط به یک سال مالی آن سازمان است و از

سه قسمت به شرح زیر تشکیل می شود :

-بودجه عمومی دولت

-بودجه شرکتها دولتی و بانکها

-بودجه مؤسساتی که تحت عنوانی غیرازعناوین فوق دربودجه کل کشورمنظورمی شود اعتبار عبارت از مبلغی است که برای مصرف یا مصارف معین به منظور نیل به اهداف و اجرای برنامه ها به تصویب می رسد

7-پیش پرداخت و علی الحساب

پیش پرداخت عبارت است از پرداختی که از محل اعتبار مربوط  طبق احکام و مقررات و قراردادها پیش از انجام تعهد صورت می گیرد علی الحساب عبارت است ازپرداختی که به منظورادای قسمتی ازتعهد با رعایت مقررات صورت می گیرد .

8-تنخواه گردان پرداخت

به موجب ماده 27 محاسبات عمومی مصوب 1/6/1366 تنخواه گردان عبارتاست از وجهی که از محل  تنخواه گردان  حسابداری از طرف  ذیحساب پس از تأیید وزیر یا رئیس مؤسس و یا مقامات مجاز از طرف آنها برای انجام پاره ای هزینه ها دراختیار واحدها ویا مأمورینی که به موجب این قانون وآیین نامه های اجرایی آن مجاز به دریافت تنخواه گردان هستند قرار می گیرد .

9-کارپرداز و وظایف آن

کارپرداز مأموری است که از بین مستخدمین واجد صلاحیت دستگاه زیربط به این سمت منصوب می شود و نسبت به خرید و تدارک کالا و خدمات مورد نیاز طبق دستور مقامات مجاز با رعایت مقررات اقدام می کند.

فهرست مطالب:

تعریف و اصطلاحات

1-تعریف مال

2-اموال غیر منقول

3-اموال منقول

4-ذیحساب و وظایف آن

5-جمعدار اموال و وظایف آن

6-بودجه و اعتبار

7-پیش پرداخت و علی الحساب

8-تنخواه گردان پرداخت

9-کارپرداز و وظایف آن

10-انواع خریدها

11-انواع خریدها از نظر قیمت

12-اصول تدارکات

13-تعریف سیستم و روش سیستماتیک

1-عوامل مؤثرصحت ودقت درکیفیت

2-عوامل مؤثر درانتخاب کمیت دقیق

3-صحت درانتخاب زمان و مکان

4-خرید از منابع واجد شرایط

14-مراحل اجرایی خرید

15-دفترراهنمای سفارش ها

قسمت دوم خریدهای خارجی

18-کلیات

19-عوامل موثر در بالابردن میزان فروش

20-وظایف مدیر بازاریابی و فروش

اصول انبارداری

21-کلیات

22-تعریف انبار

23-وظایف انباردار

24-انواع موجودی های انبار

25-سازمان انبار

منابع ورود کالا به انبار

26-کلیات

1-26-از طریق خریدهای داخلی

2-26-از طریق خریدهای خارجی

27-کالای انتقالی از سایر انبارها و اجناس برگشتی

28-کالاها و لوازمی که در کارگاه های یک مؤسسه ساخته میشود

29-ورود و تحویل کالاهای خریداری شده به انبار

30-تحویل کالا به انبار

1-30- تحویل دائم

2-30 تحویل موقت

3-30- نحوه و موارد استفاده از فرم رسید انبار

31-درخواست کالا و مواد از انبار

32-تحویل و خروج کالا از انبار

33- رسید انبار مستقیم

34- دریافت ابزار آلات از انبار

35-فرم خروج کالا از مؤسسه

36- چیدن در جنس درانبار

37- کاردکس انبار

38- کارت روی قفس(BIN CARD)

39- گزارش موجود ی انبار

تعداد نسخ  فرم گزارش موجودی

40-اصول ایمنی وحفاظت انبار

کنترل موجودی های انبار

41-موجودی برداری عینی انبار

42-موجودی برداری عینی مستمر

43-موجودی برداری عینی دوره ای (انبارگردانی)

44- تشکیل کمیته انبار گردانی

1-44- تنظیم برنامه انجام کار و زمان انبارگردانی

2-44- هماهنگ کننده عملیات

3-44- مسئول ثبت شمارش

4-44- گروههای شمارش

45- نکاتی که قبل ازعملیات انبارگردانی باید مورد توجه قرار گیرد

1-45- اجرای عملیات انبارگردانی

2-45- عملیات پس از شمارش

46- تهیه گزارش نتایج عملیات انبارگردانی

47- انجام تعدیلات

48- بررسی موجودیها و تعیین بهاء آنها در انبار

49- کنترل موجودی ها

50- نقطه سفارش و میزان سفارش

51- میزان حداقل موجودی و ذخیره ی احتیاطی

52- میزان حداکثر موجودی

53- متوسط موجودی

54- شرح مراحل انجام سفارش از طریق انبار

55- تعیین بهای موجودیهای انبار

1-55- روش بهای تمام شده واقعی

2-55- روش میانگین متحرک قیمتها

3-55- روش میانگین وزنی

4-55- روش اولین صادره از اولین وارده یا فایفو

5-55- روش اولین صادره از آخرین وارده یا لایفو

6-55- روش بهای تمام شده با قیمت بازار هرکدام که کمتراست

7-55- روش بهای «معادل بازار »

8-55- روش قیمت فروش

9-55- نرخ میانگین کالا

56- هزینه های انبار داری

57- هزینه سفارش

58- هزینه ی نگهداری کالا در انبار

حسابداری انبار و تدارکات

59- عملیات حسابداری خرید

آشنایی به چند اصطلاح تدارکاتی و انبارداری

فهرست منابع  و مأخذ

منابع و مأخذ:

اصول کارپردازی وانبارداری نوشته منوچهرامیرشاهی

بازاریابی جزوه درسی آقای احمد روستا

طراحی سیستم اطلاعاتی درواحدهای صنعتی دانشگاه صنعتی شریف

اصول فنون و مذاکره ،ترجمه دکتر مسعود حیدری

جزوه انبار داری و کنترل موجودی ،سازمان مدیریت صنعتی

پروژه بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 85 صفحه

چکیده:

پس از کشف نانولوله های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان های مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانولوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسی ها نشان می دهد تحرک پذیری الکترون در نانولوله های کربنی متفاوت به ازای میدان های مختلفی که در طول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بیشینه ای را خواهد گرفت. بنا بر این در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال می شود باید نانولوله ای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.

واژه های کلیدی

نانولوله ی کربنی، ترانزیستور اثر میدانی، مدل ثابت نیرو ، تحرک پذیری الکترون

مقدمه:

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965 نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می شود [1]. این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد [2]. جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند [3و4].

در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت [5و6].

کربن با عدد اتمی 6 در گروه ششم جدول تناوبی قرار دارد. این عنصر ترکیب اصلی موجودات زنده را در بر گرفته است. بنا بر این بیشتر دانشمندان سعی می کنند ترکیبات کربنی را در شاخه ی شیمی آلی بررسی کنند. این عنصر از دیر باز برای انسان به صورت دوده و ذغال چوب شناخته شده بود. گونه-های متفاوت دیگری از کربن نیز وجود دارند که تفاوت این گونه ها صرفاً به شکل گیری اتم های کربن نسبت به هم یا به ساختار شبکه ای آن ها بر می گردد.

فهرست مطالب:

مقدمه

فصل اول

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

1-1 مقدمه

1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت

1-2-1 کربن بیشکل

1-2-2 الماس

1-2-3 گرافیت

1-2-4 فلورن و نانو لولههای کربنی

1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید - نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی

فصل 2

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی

2-1 مقدمه

2-2 ساختار الکترونی کربن

2-2-1 اربیتال p2 کربن

2-2-2 روش وردشی

2-2-3 هیبریداسون اربیتالهای کربن

2-3 ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی

2-3-1 ساختار هندسی گرافیت

2-3-2 ساختار هندسی نانولولههای کربنی

2-4 یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی

2-4-1 یاختهی واحد صفحهی گرافیت

2-4-2 یاخته واحد نانولولهی کربنی

2-5 محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی

2-5-1 مولکولهای محدود

2-5-2 ترازهای انرژی گرافیت

2-5-3 ترازهای انرژی نانولولهی کربنی

2-5-4 چگالی حالات در نانولولهی کربنی

2-6 نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی

2-6-1 مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت

2-6-2 رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی

فصل 3

پراکندگی الکترون فونون

3-1 مقدمه

3-2 تابع توزیع الکترون

3-3 محاسبه نرخ پراکندگی کل

3-4 شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون

3-6 ضرورت تعریف روال واگرد

فصل 4

بحث و نتیجه گیری

4-1 مقدمه

4-2 نرخ پراکندگی

4-3 تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی

4-4 بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون

4-4-1 بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

4-4-2 بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

4-4-3 بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

4-4-3 بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

نتیجه گیری

پیشنهادات

ضمیمهی (الف) توضیح روال واگرد.

منابع

چکیده انگلیسی

فهرست شکل ها :

 شکل1-1. گونه های مختلف کربن

شکل 1-2. ترانزیستور اثر میدانی

شکل 1-3. ترانزیستور نانولوله ی کربنی

شکل 2-1. اربیتال

شکل 2-2. هیبرید

شکل 2-3. ساختار

شکل 2-4. شبکه گرافیت

شکل 2-5. یاخته ی واحد گرافیت

شکل2-6. یاخته ی واحدنانولوله ی کربنی

شکل 2-7. گونه های متفاوت نانولوله های کربنی

شکل 2- 8. تبهگنی خطوط مجاز در نانولوله ی کربنی

شکل 2-9. مؤلفه های ماتریس ثابت نیرو

فهرست جدول ها:

جدول 2-1 عناصر ماتریس ثابت نیرو

فهرست نمودارها:

نمودار 2-1. نوار انرژی الکترونی گرافیت

نمودار 2-2. نوار انرژی الکترونی نانولوله ی کربنی

نمودار 2-3. چگالی حالات در نانولوله ی کربنی

نمودار 2-4. نوار سه بعدی انرژی فونونی گرافیت

نمودار 2-5. نوار انرژی فونونی در راستای خطوط متقارن منطقه اول بریلوئن

نمودار 2-6. نوار انرژی فونونی نانولوله ی کربنی

نمودار 3-1. سطح فرمی در نانولوه های کربنی

نمودار 3-2. منطقه ی تکرار شونده در نانولوله های کربنی

نمودار 3-3. نقاط متقارن در مسئله پراکندگی

نمودار 4-1. نرخ پراکندگی در دو نانولوله ی زیگزاگ  و

نمودار 4-2. وابستگی دمایی نرخ پراکندگی

نمودار4-3. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی  نانولوله ی

نمودار4-4. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی  نانولوله ی

نمودار 4-5. وابستگی سرعت میانگین الکترون به دما در نانولوله ی کربنی

نمودار 4-6. توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ

نمودار 4-7. نمودار جریان – ولتاژ در مورد نانولوله های زیگزاگ

نمودار 4-8. مقاومت نانولوله های مختلف

فهرست پیوست ها:

پیوست الف: توضیح روال واگرد

چکیده انگلیسی

منابع و مأخذ:

[1] G. Moore, Electronics, 38, (1965), 114.

[2] A. Bahari, P. Morgen, Surface Science, 602, (2008), 2315.

[3] Y.X. Liang, T.H. Wang, Physica E, 23, (2004), 232.

[4] Christian Klinke, Ali Afzali, Chemical Physics Letters, 430, (2006), 75.

[5] Jing Guo, Mark Lundstrom, and Supriyo Datta, Applied Physics Letters, 80, (2002),3192.

[6] Ph. Avouris, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, Physica B, 323, (2002), 6.

[7] H. Raffi-Tabar, Physics Reports, 390, (2004), 235.

[8] Jianwei Che, Tahir¸ Cagin and William A Goddard, Nanotechnology, 10, (1999), 263.

[9] Qingzhong Zhao, Marco Buongiorno Nardelli and J.Bernholc, Physical Review B

, 65, (2002) 144105.

[10] Paul L. McEuen, Michael S. Fuhrer and Hongkun Park, IEEE Transactions on Nanotechnology, 1, (2002), 78.

[11] S. Iijima and T. Ichihashi, Nature, 363, (1993), 603.

[12] K.B.K. Teo., IEE Proc.-Circuits Devices Syst. 151, (2004), 443.

[13] Rodney S.Ruoff, DongQian, WingKam Liu, C.R.Physique, 4, (2003), 993.

[14] Cheung, C. L., Kurtz, A., Park, H. and Lieber, CMJ Phys. Chem B, 106, (2002), 2429.

[15] Y. Kobayashi, H. Nakashima, D. Takagi and Y. Homma, Thin Solid Films, 464, (2004), 286  

[16] Anazawa, Kazunori, Shimotani, Kei, Manabe, Chikara, Watanabe, Hiroyuki and Shimizu, Masaaki, Applied Physics Letters, 81, (2002), 739.

[17] Lee Seung Jong, Baik Hong Koo, Yoo Jae eun and Han Jong hoon, Diamond and Related Materials, 11, (2002), 914.

[18] T. Guo, P. Nikolaev, A. Thess, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Chemical Physics Letters, 243, (1995), 49.

[19] E. Yoo, L. Gao, T. Komatsu, N. Yagai, K. Arai, T. Yamazaki, K. Matsuishi, T.Matsumoto, and J. Nakamura, J. Phys. Chem. B, 108, (2004), 18903.

[20] Bae-HorngChen , Jeng-Hua Wei , Po-Yuan Lo , Hung-Hsiang Wang , Ming-Jinn Lai ,  Ming-JinnTsai, Tien Sheng Chao , Horng-Chih Lin and Tiao-Yuan Huang, Solid-State Electronics, 50, (2006), 1341.

[21] Ji-YongPark, Nanotechnology, 18, (2007), 095202.

[22] Madhu Menon, Physical Review Letters, 79, (1997), 4453.

[23] R.Satio, M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, Physical Properties Of Carbon Nanotubes, Imperial College Press, ISBN 1-86094-093-5, (1998).

[24] Jens Peder Dahl, Introduction to the Quantum World of Atoms and Molecules, World Scientific Publishing Company, ISBN: 9810245653, (2001).

[25] Leonard L. Schiff, Quantum Mechanics 1st Edition, McGraw – Hill Book Company, ISBN: 0070552878, (1948).

[26] Charles Kittle, Introduction to solid state physics 7th edition, John Wiley and Sons, ISBN: 0-471-11181-3, (1996).

[27] Neil W. Ashcroft, N. David Mermin, Solid State Physics, Saunders College Publishing, ISBN: 0-03-083993-9, (1976).

[28] J. J. Sakurai, Modern Quantum Mechanics, Addision – Wesley Publishing, ISBN: 0-201-53929-2, (1994).

[29] R. A. Jishi, L. Venkataraman, M. S. Dresselhaus, and G. Dresselhaus, Chemical Physics Letters, 209, (1993), 77.

[30] YXiao ,XHYan ,JXCao and JWDing, J.Phys. Condense Matter, 15, (2003), 341.

[31] A. S. Davydov, Quantum Mechanics, Pergamon Pr, ISBN: 0080204376, (1976).

[32] G. Pennington and N. Goldsman, Physical Review B, 68, (2003), 45426.

[33] G. Pennington and N. Goldsman, IEICE Transactions on Electronics, 86, 372 (2003).

[34] S. Saito and A. Zettle, Carbon Nanotubes Quantum Cylinders of Graphene, Elsevier, ISBN: 978-0-444-53276-3, (2008).

[35] Xinjian Zhou, Carbon Nanotube Transistors, Sensors, and Beyond, In Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy, Cornell University, (2008).

[36] Ali Javey, Hydoungsub Kim, Markus Brink, Qian Wang, Ant Ural, Jing Guo, Paul Mcintyre, Paul Mceuen, Mark Lundstrom and Hongjie Dai, Nature materials, 1, (2002), 241.

 [37] J. M. Zeeman, Electrons and Phonons, The International Series Of Monographs On  Physics, ISBN:0-19-580779-8, (1960).

[38] JingGuo, MarkLundstrom, Applied Physics Letters, 86, (2005), 193103.

[39] Anisur Rahman, Jing Guo, Supriyo Datta and Mark S. Lundstrom, IEEE Transactions on Electron Devices, 50, (2003), 1853.

[40] D.V. Pozdnyakov, V.O. Galenchik, F.F. Komarov, V.M. Borzdov, Physica E, 33 (2006) 336.

 [41] R. Mickevicius, V. Mitin and U. K. Harithsa, J. Applied Physics, 75, (1994), 973.

 [42] Yung-Fu Chen and M. S. Fuhrer, Physical Review Letters, 95, (2005), 236803