آزمایشگاه شیمی معدنی2
تایپ شده
فرمتPDF
تعداد صفحات:10
تعاریف ساده شده بالا از بسیاری از مباحث پیچیده درباره ترانسفورماتورها گذشتهاست.
در یک ترانسفورماتور آرمانی، ترانسفورماتور دارای یک هسته بدون مقاومت مغناطیسی و دو سیمپیچ بدون مقاومت الکتریکی است. زمانی که ولتاژ به ورودیهای اولیه ترانسفورماتور اعمال میشود برای به وجود آمدن شار در مدار مغناطیسی هسته، جریانی کوچکی در سیمپیچ اولیه جاری میشود. از آنجایی که در ترانسفورماتور ایدهآل هسته فاقد مقاومت مغناطیسی است این جریان قابل چشم پوشی خواهد بود در حالی که در یک ترانسفورماتور واقعی این جریان بخشی از تلفات ترانسفورماتور را تشکیل خواهد داد.
ملاحظات عملی
شار پراکندگی
در یک ترانسفورماتور آرمانی شار مغناطیسی تولید توسط سیمپیچ اول به طور کامل توسط سیمپیچ دوم جذب میشود اما در واقع بخشی از شار مغناطیسی در فضای اطراف پراکنده میشود. به شاری که در حین انتقال از مسیر خود جدا میشود شار پراکندگی (leakage flux) میگویند. این شار پراکندگی موجب به وجود آمده اثر خود القا در سیمپیچها میشود و به این ترتیب موجب میشود که در هر سیکل، انرژی در سیمپیچ ذخیره شده و در نیمه پایانی سیکل آزاد شود. این اثر به طور مستقیم باعث ایجاد افت توان نخواهد شد اما به دلیل ایجاد اختلاف فاز موجب ایجاد مشکلاتی در تنظیم ولتاژ خواهد شد و به این ترتیب باعث خواهد شد تا ولتاژ ثانویه دقیقاً نسبت واقعی خود با ولتاژ اولیه حفظ نکند؛ این اثر به ویژه در بارهای بزرگ خود را نشان خواهد داد. به همین دلیل ترانسفورماتورهای توزیع طوری ساخته میشوند تا کمترین میزان تلفات پراکندگی را داشته باشند.
با این حال در برخی کاربردها، وجود تلفات پراکندگی بالا پسندیدهاست. در این ترانسفورماتورها با استفاده از روشهایی مانند ایجاد مسیرهای مغناطیسی طولانی، شکافهای هوایی یا مسیرهای فرعی مغناطیسی اقدام به افزایش شار پراکندگی میکنند. دلیل افزایش عمدی تلفات پراکندگی در این ترانسفورماتورها قابلیت بالای این نوع ترانسفورماتورها در تحمل اتصال کوتاه است. از این گونه ترانسفورماتورها برای تغذیه بارهای دارای مقاومت منفیمانند دستگاههای جوش (یا دیگر تجهیزات استفاده کننده از قوس الکتریکی)، لامپهای بخار جیوه و تابلوهای نئون یا ایجاد ایمنی در بارهایی که احتمال بروز اتصال کوتاه در آنها زیاد است استفاده میشود.
تأثیر بسامد
مشتق زمان در قانون فاراده نشان میدهد که شار در یک سیمپیچ، برابر انتگرال ولتاژ ورودی است. در یک ترانسفورماتور ایدهآل افزایش شار در سیمپیچ به طور خطی در نظر گرفته میشود اما در عمل شار مغناطیسی با سرعت نسبتاً زیاد افزایش پیدا میکند این افزایش تا جایی ادامه دارد که شار به نقطه اشباع مغناطیسی هسته میرسد. به خاطر افزایش ناگهانی جریان مغناطیس کننده در یک ترانسفورماتور واقعی، همه ترانسفورماتورها باید همیشه با جریان متناوب سینوسی (نه پالسی) تغذیه شوند.
معادله عمومی EMF برای ترانسفورماتورها
اگر شار مغناطیسی را سینوسی در نظر بگیریم رابطه بین ولتاژ E، بسامد منبع f، تعداد دور N، سطح مقطع هسته A و ماکزیمم چگالی مغناطیسی B از رابطه عمومی EMF و به صورت زیر به دست میآید:
برای یک ترانسفورماتور در چگالی مغناطیسی ثابت، EMF با افزایش بسامد افزایش مییابد که تأثیر آن را میتوان از معادله عمومی EMF محاسبه کرد؛ بنابراین با استفاده از ترانسفورماتورها در بسامد بالاتر میتوان بهرهوری آنها را نسبت به وزنشان افزایش داد چراکه یک ترانسفورماتور با حجم هسته ثابت در بسامد بالاتر میتواند میزان توان بیشتری را بین سیمپیچها جابجا کند و تعداد دور سیمپیچ کمتری نیز برای ایجاد یک امپدانس ثابت نیاز خواهد بود. با این حال افزایش بسامد میتواند موجب به وجود آمدن تلفات مضاعف مانند تلفات هسته و اثر سطحی در سیستم شود. در هواپیماها و برخی تجهیزات نظامی از بسامد ۴۰۰ هرتز استفاده میشود چرا که با این کار گذشته از افزایش برخی تلفات میتوان حجم تجهیزات را کاهش داد.
به طور کلی استفاده از یک ترانسفورماتور در ولتاژ نامی ولی بسامد بیش از نامی موجب کاهش جریان مغناطیس کننده میشود و به این ترتیب در بسامدی کمتر از بسامد نامی جریان مغناطیس کننده میتواند در حد زیادی افزایش یابد. البته استفاده از ترانسفورماتورها در بسامدهای بیشتر یا کمتر از بسامد نامی باید قبل از اقدام، مورد ارزیابی قرار گیرد تا شرایط ایمن برای کار ترانس مثل سنجش ولتاژها، تلفات و استفاده از سیستم خنککننده خاص بررسی شود. برای مثال ترانسفورماتورها باید به وسیله رلههای کنترل محافظتی ولتاژ به ازای بسامدمجهز شوند تا در مقابل اضافه ولتاژهای ناشی از افزایش بسامد محافظت شوند.
تلفات انرژی
یک ترانسفورماتور ایدهآل هیچ تلفاتی نخواهد داشت و در واقع بازدهی برابر ۱۰۰٪ دارد. با این حال ترانسفورماتورهای واقعی نیز جزو بهرهورترین تجهیزات الکتریکی محسوب میشود به طوری که نمونههای آزمایشی ترانسفورماتورهایی که با بهرهگیری از ابر رسانا ساخته شدهاند به بازدهی برابر ۹۹٫۸۵٪ دست یافتهاند. به طور کلی ترانسفورماتورهای بزرگتر از بازده بالاتری برخوردارند و ترانسفورماتورهایی که برای مصارف توزیعی مورد استفاده قرار میگیرند از بازدهی در حدود ۹۵٪ برخوردارند در حالی که ترانسفورماتورهای کوچک مانند ترانسفورماتورهای موجود در اداپتورها بازدهی در حدود ۸۵٪ دارند. تلفات به وجود آمده در ترانسفورماتور با توجه به عوامل به وجود آورنده یا محل اتلاف انرژی به این صورت طبقهبندی میشوند:
مقاومت سیمپیچها
جریانی که در یک هادی جاری میشود با توجه به میزان مقاومت الکتریکی هادی میتواند موجب به وجود آمدن حرارت در محل عبور جریان شود. در بسامدهای بالاتر اثر سطحی و اثر مجاورت نیز میتوانند تلفات مضاعفی را در ترانسفورماتور به وجود آورند.
تلفات پسماند (هیسترزیس)
هر بار که جهت جریان الکتریکی بهخاطر وجود بسامد عوض میشود با توجه به جنس هسته، مقدار کمی انرژی در هسته باقی میماند. به این ترتیب برای یک هسته با جنس ثابت این نوع تلفات با میزان بسامد تناسب دارد و با افزایش بسامد تلفات پسماند هسته نیز افزایش مییابد.
جریان گردابی
شکل-۳ یک ترانسفورماتور ایدهآل به عنوان المانی در مدار
مواد فرومغناطیس معمولاً هادیهای الکتریکی خوبی نیز هستند و بنابراین هسته ترانسفورماتور میتواند مانند یک مدار اتصال کوتاه شده عمل کند؛ بنابراین حتی با القای میزان کمی ولتاژ، جریان در هسته به شدت بالا میرود. این جریان جاری در هسته گذشته از به وجود آوردن تلفات الکتریکی موجب به وجود آمدن حرارت در هسته نیز میشود. جریان گردابی در هسته با مجذور بسامد منبع رابطه مستقیم و با مجذور ضخامت ورق هسته رابطه معکوس دارد. برای کاهش تلفات گردابی در هسته، هستهها را ورقه ورقه کرده و آنها را نسبت به یکدیگر عایق میکنند.
تغییر شکل بر اثر میدان مغناطیسی
شار مغناطیسی در یک ماده فرومغناطیس موجب حرکت نسبی ورقههای هادی نسبت به یکدیگر میشود. در صورت محکم نبودن این ورقهها این اثر میتواند موجب ایجاد صدایی شبیه وز وز در هنگام کار کردن ترانسفورماتور شود به این اثر تغییر شکل بر اثر میدان مغناطیسی یا Magnetostriction میگویند. این اثر میتواند موجب به وجود آمدن گرما در اثر اصطکاک بین صفحات نیز شود.
تلفات مکانیکی
به دلیل وجود تغییر شکل بر اثر مغناطیس در یک ترانسفورماتور بین قطعات ترانسفورماتور نوعی حرکت به وجود میآید این تحرک نیز به نوبه خود موجب به وجود آمدن تلفات مکانیکی در ترانسفورماتور خواهد شد. در صورتی که قطعات موجود در ترانسفورماتور به خوبی در جای خود محکم نشده باشند، تحرکات مکانیکی آنها نیز افزایش یافته و در نتیجه تلفات مکانیکی نیز افزایش خواهد یافت.
مدار معادل
شکل-۴ مدار معادل یک تراسنفورماتور
محدودیتهای فیزیکی یک ترانسفورماتور واقعی به صورت یک مدار نمایش داده میشوند. این مدار معادل از تعدادی از عوامل به وجود آورنده تلفات یا محدودیتها و یک ترانسفورماتور ایدهآل تشکیل شدهاست. تلفات توان در سیمپیچ یک ترانسفورماتور به طور خطی تابعی از جریان هستند و به راحتی میتواند آنها را به صورت مقاومتهایی سری با سیمپیچهای ترانسفورماتور نمایش داده شود؛ این مقاومتها RS و RP هستند. با بررسی خواص شار پراکندگی میتوان آن را به صورت خود القاهای XP و XS نشان داد که به صورت سری با سیمپیچ ایدهآل قرار میگیرند. تلفات آهنی از دو نوع تلفات گردابی (فوکو) و پسماند (هیسترزیس) تشکیل شده. در بسامد ثابت این تلفات با مجذور شار هسته نسبت مستقیم دارند و از آنجایی که شار هسته نیز تقریباً با ولتاژ ورودی نسبت مستقیم دارد این تلفات را میتوان به صورت مقاومتی موازی با مدار ترانسفورماتور نشان داد. این مقاومت همان RC است.
هستهایی با نفوذپذیری محدود نیازمند جریان IM خواهد بود تا همچنان شار مغناطیسی را در هسته برقرار کند؛ بنابراین تغییرات در جریان مغناطیس کننده با تغییرات در شار مغناطیسی هم فاز خواهد بود و به دلیل اشباع پذیر بودن هسته، رابطه بین این دو خطی نخواهد بود. با این حال برای ساده کردن این تأثیرات در بیشتر مدارهای معادل این رابطه خطی در نظر گرفته میشود. در منابع سینوسی شار مغناطیسی ۹۰ درجه از ولتاژ القایی عقبتر خواهد بود، بنابراین این اثر را میتوان با القاگر XM در مدار نشان داد که به طور موازی با تلفات آهنی هسته RC قرار میگیرد. RC و XM را در برخی موارد با هم به صورت یک شاخه در نظر میگیرند و آن را شاخه مغناطیس کننده مینامند. اگر سیمپیچ ثانویه ترانسفورماتور را مدار باز کنیم تمامی جریان عبوری از اولیه ترانسفورماتور جریان I0 خواهد بود که از شاخه مغناطیس کننده عبور خواهد کرد این جریان را جریان بیباری نیز مینامند.
مقاومتهای موجود در طرف ثانویه یعنی RS و XS نیز باید به طرف اولیه منتقل شوند. این مقاومتها در واقع معادل تلفات مسی و پراکندگی در طرف ثانویه هستند و به صورت سری با سیم پیچ ثانویه قرار میگیرند.
مدار معادل حاصل را مدار معادل دقیق مینامند گرچه در این مدار معادل نیز از برخی ملاحظات پیچیده مانند اثرات غیرخطی چشم پوشی میکند.
انواع
ساخت انواع مختلف ترانسفورماتورها به منظور رفع اهداف استفاده از آنها در کاربردهای متفاوت میباشد. در این میان برخی از انواع ترانسفورماتورها بیشتر مورد استفاده قرار میگیرند که میتوان به نمونهها زیر اشاره کرد:
ترانس تطبیق امپدانس
ترانس ولتاژ
ترانس جریان
ترانس هستهٔ هوایی
راکتور اشباع
ترانس v شکل یا اسکاتT
ترانس تفضلی با متغیر خطی
این تحقیق بصورت Word و با موضوع ژنراتورها وموتورهای الکتریکی انجام گرفته است.تحقیق برای مهندسی برق و الکترونیک مناسب است و در 11 برگه می باشد. می توانید این تحقیق را بصورت کامل و آماده تحویل از پایین همین صفحه دانلود نمایید.
ژنراتورها و موتورهای الکتریکی گروه از وسایل استفاده شده جهت تبدیل انرژیمکانیکی به انرژی الکتریکی یا برعکس . توسط وسایل الکترومغناطیس هستند . یک ماشینیکه انرژی الکتریکی به مکانیکی تبدیل می کند موتورنام دارد.
وماشینی که انرژیمکانیکی را به انرژی الکتریکی تبدیل می کند ژنراتور یا آلترناتور یامتناوب کننده یادینام نامیده می شود .
دو اصل فیزیکی مرتبط با عملکردموتورهاوژنراتور هاوجود دارد. اولین اصل فیزیکی اصل القایی الکترومغناطیسی کشف شده توسط مایکلفارادی دانشمند بریتانیایی است.
اگر یک هادی در میان یک میدان مغناطیسی حرکتکند یا اگر طول یک حلقه ی القایی ساکنی جهت تغییر استفاده شود. یک جریان ایجاد میشود یا القا می شود در کنتاکنتور بحث این اصل این است که در مورد واکنشالکترومغناطیسی بحث می کند و این که این واکنش در ابتدا توسط آندر مری آمپر در سال 1820 که دانشمند فرانسوی است کشف شد.اگر یک جریان از میان یک کنتاکتور که در میدانمغناطیسی قرار گرفتند عبور کند . میدان نیروی مکانیکی بر آن وارد می کند .
فهرست مطالبمقدمه. 11. ژنراتورها وموتورهای الکتریکی. 22. موتور های AC.. 33. آلتر ناتور های جریان متناوب(AC)(آلتر ناتور ها) ژنراتوها54. برچسب گذاری ترانس سه فاز- موتورهای سه فاز65. برچسب گذاری موتورهای سه فاز (روش تجربی)86. تاکو ژنراتورها8منابع. 8لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*
فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)
تعداد صفحه: 5
سیستم خنک کنندگی ترانسهای قدرت
اصولا در ترانسهای قدرت در اثر القای متقابل سیم پچها ، تولید گرما و حرارت می شود که بسته به بار اعمالی به ترانس این گرما میتواند حتی منجر به آسیب دیدن سیم پیچ ها شود . یکی از اجزای اصلی در خنک شدن ترانس ها روغن ترانس است که با توجه به ویسکوزیته آن و مدت زمان بهره برداری از ترانس میتواند نقش مهمی در خنک شدن ترانس داشته باشد . در ترانسهای با کار کرد بالا تر بدلیل رسوبات روغن و ناخالصی های موجود در آن میزان خنک شوندگی ترانس کمتر خواهد شد.عموما در ترانس ها با قدرت بالا ، از رادیاتورها استفاده میشود که در ترانسهای با قدرت 500 کیلو ولت آمپر به بالا تنها از پره های خنک شونده و در ترانسهای 1000 کیلو ولت آمپر به بالا از رادیاتورهایی که روغن در آن به جریان می افتد استفاده می شود. در ترانسفورماتورهای با توان بالا و ولتاژ بالا از سیستمهایی چون فن های کنترل شونده و پمپ ها جهت خنک کردن ترانس استفاده میشود که به هر یک اشاره خواهیم کرد .
ساختمان ترانسهای قدرت روغنی :
قسمتهای اصلی در ساختمان ترانسفورماتورهای قدرت روغنی عبارتند از:
١ - هسته یک مدار مغناطیسی
٢- سیم پیچ های اولیه و ثانویه
٣- تانک اصلی روغن
به جز موارد فوق اجزا دیگری نیز به منظور اندازه گیری وحفاظت به شرح زیر وجوددارند :
١- کنسرواتوریا منبع انبساط روغن
٢ - تپ چنجر
٣ - ترمومترها
٤- نشان دهنده های سطح روغن
٥ - رله بوخهلتز
٦- سوپاپ اطمینان یا لوله انفجاری / شیر فشار شکن
٧- رادیاتور یا مبدلهای حرارتی
٨- پمپ و فن ها
٩- شیرهای نمونه برداری از روغن پایین و بالای تانک
١٠ - شیرهای مربوط به پرکردن و تخلیه روغن ترانس
١١ - مجرای تنفسی و سیلیکاژل مربوط به تانک اصلی و تب چنجر
١٢ - تابلوی کنترل
١٣ - تابلوی مکانیزم تب چنجر
١٤ - چرخ ها
١٥ - پلاک مشخصات نامی
ساختمان ترانسهای قدرت روغنی :
قسمتهای اصلی در ساختمان ترانسفورماتورهای قدرت روغنی عبارتند از:
١ - هسته یک مدار مغناطیسی
٢- سیم پیچ های اولیه و ثانویه
٣- تانک اصلی روغن
به جز موارد فوق اجزا دیگری نیز به منظور اندازه گیری وحفاظت به شرح زیر وجوددارند :
١- کنسرواتوریا منبع انبساط روغن
٢ - تپ چنجر
٣ - ترمومترها
٤- نشان دهنده های سطح روغن
٥ - رله بوخهلتز
٦- سوپاپ اطمینان یا لوله انفجاری / شیر فشار شکن
٧- رادیاتور یا مبدلهای حرارتی
٨- پمپ و فن ها
٩- شیرهای نمونه برداری از روغن پایین و بالای تانک
١٠ - شیرهای مربوط به پرکردن و تخلیه روغن ترانس
١١ - مجرای تنفسی و سیلیکاژل مربوط به تانک اصلی و تب چنجر
١٢ - تابلوی کنترل
١٣ - تابلوی مکانیزم تب چنجر
١٤ - چرخ ها
١٥ - پلاک مشخصات نامی
١- هسته :
هسته ترانس یک مدار مغناطیسی خوب با حداقل فاصله هوایی و حداقل مقاومت مغناطیسی است تا فورانهای مغناطیسی براحتی از آن عبور کنند . هسته بصورت ورقه ورقه ساخته شده و ضخامت ورقه ها حدود0.3 میلیمتر و حتی کمتر است . برای کاهش تلفات فوکو ورقه ها تا حد امکان نازک ساخته می شوند و لی ضخامت آنها نباید بحدی برسد که از نظر مکانیکی ضعیف شده و تاب بردارد .
در ترانسهای قدرت ضخامت ورقه ها معمولاً 0.3 یا 0.33 میلیمترانتخاب می شود که این ورقه ها توسط لایه نازکی از وارنیش عایقی با یک سیم نازک عایقی ، نسبت به هم عایق می شوند .
٢- سیم پیچی های ترانس
در ساختمان سیم پیچ های ترانس باید موارد متعددی در نظر گرفته شوند که در ذیل به مهمترین آنها اشاره می نمائیم :
١ - در سیم پیچ هاباید جنبه های اقتصادی که همان مصرف مقدار مس و راندمان ترانس می باشد ، مراعات شود .
٢ - ساختمان سیم پیچ ها برای رژیم حرارتی که باید در آن کار کند محاسبه شود ، زیرا در غیر این صورت عمر ترانس کاسته خواهد شد .
٣- سیم پیچ ها در مقابل تنش ها و کشش های حاصل از اتصال کوتاه های ناگهانی مقاوم شوند
٤ - سیم پیچ ها باید در مقابل اضافه ولتاژهای ناگهانی از نقطه نظر عایق ، مقاومت لازم را داشته باشند .
سیم پیچ ترانس ها نسبت به هم در نوع سیم پیچ ، تعداد حلقه ها درجه و اندازه سیمها و ضخامت عایق بین حلقه ها متفوت خواهند بود . هر چه ولتاژ ترانس بالا برود ، تعداد حلقه های سیم پیچ بیشتر می شود و هر چه ظرفیت ترانس بیشتر شود ، اندازه سیم ها بزرگتر می گردد .
در ترانس با هسته ستونی ، سیم پیچها اعم از فشار قوی ، متوسط و فشار ضعیف و سیم پیچ تنظیم – بصورت استوانه متحدالمرکز روی ستونهای هسته قرار می گیرند . معمولاً سیم پیچ فشار ضعیف در داخل و فشار قوی در خارج واقع می شوند و ترتیب فوق به این دلیل رعایت می شود که عایق کاری فشار ضعیف نسبت به هسته راحت تر است .
٣- تانک اصلی روغن
تانک ترانس یک ظرف مکعب یا بیضوی شکل است که هسته و سیم پیچ های ترانس در آن قرار می گیرند و نقش یک پوشش حفاظتی را برای آنها ایفا می کند داخل این ظرف از روغن پر می شود بطوریکه هسته و سیم پیچ کاملاً در روغن فرو می روند . سطح خارجی تانک تلفات گرمایی داخل ترانس را به بیرون منتقل می کند از هر مترمربع سطح تانک حدوداً 400 الی 450 وات توان گرمایی به خارج منتقل می شود ، بطوریکه در ترانسهای کوچک ، همین سطح برای خنک کاری کافی است و به تمهیدات دیگری نظیر رادیاتور وفن نیاز نمی باشد . در ترانسهای تا KVA 50 بدنه تانک از ورق ساده فولادی به ضخامت حدوداً MM3 میلیمتر ساخته می شود ، سطح آن صاف بوده و نیازی به میله های تقویتی یا لوله های خنک کن ندارد . هر 4 وجه ترانس از یک ورق یک پارچه درست می شود و فقط در یک گوشه جوشکاری می گردد .
تانک ترانس بایستی موجب شود که موارد مشروحه ذیل تأمین گردند :
- حفاظتی برای هسته ، سیم پیچ ، روغن و سایر متعلقات داخلی باشد .
- دارای استقامت کافی باشد که در حین حمل و نقل و نیز در زمان اتصال کوتاه داخلی بتواند تنش های مکانیکی ایجاد شده را تحمل نماید .
- ارتعاشات و صدا در آن به حداقل برسد .
- ساختمان آن در برابر نشت روغن و یا نفوذ هوا کاملاً آب بندی باشد .
- سطوح کافی برای دفع گرمای ناشی از تلفات ترانس را تأمین کند .
- محلی برای نصب بوشینگها ، تب چنجر ، مخزن ذخیره روغن و سایر متعلقات باشد.
- از نظرابعاد در حد باشد که براحتی قابل تحمل و حمل و نقل از طریق جاده یا راه آهن باشد .
- حداقل تلفات فوکو در آن ایجاد شود .
- حداقل میدان مغناطیسی در خارج از آن وجود داشته باشد .
به این ترتیب طراحی تانک ترانس به روش پیش بینی شده برای حمل و نفل آن نیز بستگی دارد.
این فقط قسمتی از متن مقاله است . جهت دریافت کل متن مقاله ، لطفا آن را خریداری نمایید
فرمت فایل word: (لینک دانلود پایین صفحه) تعداد صفحات : 47 صفحه
فهرست مطالب
1- مقدمه
1 2- ترانس جریان 4 3- توانایی های عمومی ترانسفورماتورهای جریان 5
4- ساختار ترانسفوماتورهای جریان 5
5- ترانسهای جریان هسته بالا
6 6- ترانسهای جریان هسته پائین
6 7- ترانس های جریان بوشینگی
7 8- ترانس جریان نوع قالبی یا رزینی
7 9- ساختمان ترانس جریان
8 10- تعاریف مربوط به ترانس جریان
9 11- کلاس دقت ترانسفورماتورهای جریان حفاظتی
11 12- کلاس دقت ترانسفورماتورهای جریان اندازه گیری
14 13- بعضی ویژگیها که در ساختمان ونصب ترانس جریان باید رعایت گردد
16 14- کورهای ترانسفورماتور جریان
18 15- اجتناب از باز بودن سمت ثانویه ترانسفورماتور جریان
19 16- ظرفیت ترانسفورماتور جریان
17- نحوه تست ترانس جریان
20
18- انواع تست های CT 20
19- قدم های انتخاب ترانسفورماتور جریان 21
20- اطلاعات مورد نیاز برای انتخاب ترانسفورماتور جریان 23
21- اشباع ترانسفورماتورهای جریان ........................................................................ 30
22- مدار معادل ترانسفورماتور جریان .................................................................... 33
مقدمه
امروزه با توجه به پیشرفت تکنولوژی و نیز با به روی کار آمدن رله های زکوندر استفاده از ترانسهای جریان وولتاژ جهت حفاظت و نیز جهت اندازه گیری کمیتهای جریان ، ولتاژ و توان و......امری است اجتناب ناپذیر و استفاده از آنها در تابلوهای برق و پستهای فشار متوسط و قوی جهت رسیدن به اهداف فوق رو به افزایش است در این مقاله سعی برآن شده که با توضیحاتی مختصرآشنایی هرچه بیشتر دوستان گرامی با تجهیزات فوق فراهم آورده شود
چرا از ترانس های ولتاژ و جریان استفاده می کنیم؟
در صنعت برق برای دو منظور اندازه گیری و حفاظت نیاز به میزان پارامترهای ولتاژ و جریان هستیم ولی از آنجا که این مقادیر اعداد بزرگی می باشند لذا دسترسی به آنها نه عملی بوده و نه از لحاظ اقتصادی مقرون به صرفه است پس ناگزیر به استفاده از ترانسهای جریان وولتاژ می باشیم تا این مقادیر را به مقادیر کوچکتری که کسری از مقادیر واقعی می باشند تبدیل نماییم. در واقع این تجهیزات نمونه کوچک شده ، با درصد خطایی بسیار کم از ولتاژ و جریان طرف اولیه هستند و چون تمامی دستگاه های اندازه گیری همچون آمپرمتر، ولتمتر، وارمتر و.......و نیز رله های حفاظتی بر اساس میزان جریان و ولتاژ ثانویه این تجهیزات ساخته می شوند لذا می توان به کمک این ترانسها به اهداف حفاظت و اندازه گیری دست یافت.