نوع فایل: word
قابل ویرایش 10 صفحه
مقدمه:
امروزه با توجه به آلودگیهای ناشی از خودروها و محدودیتهای سوخت فسیلی، کارخانههای خودروسازی گام مهمی در مقابله با این امر برداشتهاند که از جمله آنها می توان به خودروهای هیبریدی (Hybrid Vehicle)، تکنولوژی پیل سوختی (Fuel Cell)، موتورهای با پاشش مستقیم بنزینی (GDI)، موتورهای HCCI و خودروهای دو گانه سوز (Bifuel) اشاره کرد.
بازدة بالا، آلایندگی کم، مسافت قابل پیمایش بالا، ایمنی مطلوب و قیمت قابل رقابت با خودروهای متداول از جمله ویژگیهای حائز اهمیت برای خودروهای هیبریدی است. بسیاری از خودروسازان بزرگ مبادرت به تولید این خودروها در سطحی گسترده نمودهاند. در اینقسمت به شمای کلی از نحوة عملکرد، حالتهای کارکردی، مزایا، معایب و تقسیمبندی سیستمهای مختلف خودروی هیبریدی خواهیم پرداخت.
فهرست مطالب:
مقدمه
تاریخچة خودروی هیبریدی
ویژگیها
سیستمهای ذخیره سازی انرژی
انواع خودروهای هیبریدی
سیستم هیبریدی سری
سیستم هیبریدی موازی
سیستم هیبریدی سری ـ موازی
مقایسه چند نوع سیستم هیبریدی
حالتهای عملکردی موتور هیبریدی سری-موازی
حالت روشن شدن و دورهای پایین و متوسط
حرکت در حالتهای معمولی
شتابگیری سریع
شارژ شدن باطری
حالت استراحت
نوع فایل: word
قابل ویرایش 85 صفحه
چکیده:
پس از کشف نانولوله های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان های مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانولوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسی ها نشان می دهد تحرک پذیری الکترون در نانولوله های کربنی متفاوت به ازای میدان های مختلفی که در طول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بیشینه ای را خواهد گرفت. بنا بر این در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال می شود باید نانولوله ای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.
واژه های کلیدی
نانولوله ی کربنی، ترانزیستور اثر میدانی، مدل ثابت نیرو ، تحرک پذیری الکترون
مقدمه:
با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965 نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می شود [1]. این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد [2]. جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند [3و4].
در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت [5و6].
کربن با عدد اتمی 6 در گروه ششم جدول تناوبی قرار دارد. این عنصر ترکیب اصلی موجودات زنده را در بر گرفته است. بنا بر این بیشتر دانشمندان سعی می کنند ترکیبات کربنی را در شاخه ی شیمی آلی بررسی کنند. این عنصر از دیر باز برای انسان به صورت دوده و ذغال چوب شناخته شده بود. گونه-های متفاوت دیگری از کربن نیز وجود دارند که تفاوت این گونه ها صرفاً به شکل گیری اتم های کربن نسبت به هم یا به ساختار شبکه ای آن ها بر می گردد.
فهرست مطالب:
مقدمه
فصل اول
مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن
1-1 مقدمه
1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت
1-2-1 کربن بیشکل
1-2-2 الماس
1-2-3 گرافیت
1-2-4 فلورن و نانو لولههای کربنی
1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید - نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی
فصل 2
بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی
2-1 مقدمه
2-2 ساختار الکترونی کربن
2-2-1 اربیتال p2 کربن
2-2-2 روش وردشی
2-2-3 هیبریداسون اربیتالهای کربن
2-3 ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی
2-3-1 ساختار هندسی گرافیت
2-3-2 ساختار هندسی نانولولههای کربنی
2-4 یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی
2-4-1 یاختهی واحد صفحهی گرافیت
2-4-2 یاخته واحد نانولولهی کربنی
2-5 محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی
2-5-1 مولکولهای محدود
2-5-2 ترازهای انرژی گرافیت
2-5-3 ترازهای انرژی نانولولهی کربنی
2-5-4 چگالی حالات در نانولولهی کربنی
2-6 نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی
2-6-1 مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت
2-6-2 رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی
فصل 3
پراکندگی الکترون فونون
3-1 مقدمه
3-2 تابع توزیع الکترون
3-3 محاسبه نرخ پراکندگی کل
3-4 شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون
3-6 ضرورت تعریف روال واگرد
فصل 4
بحث و نتیجه گیری
4-1 مقدمه
4-2 نرخ پراکندگی
4-3 تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی
4-4 بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون
4-4-1 بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
4-4-2 بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
4-4-3 بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
4-4-3 بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا
نتیجه گیری
پیشنهادات
ضمیمهی (الف) توضیح روال واگرد.
منابع
چکیده انگلیسی
فهرست شکل ها :
شکل1-1. گونه های مختلف کربن
شکل 1-2. ترانزیستور اثر میدانی
شکل 1-3. ترانزیستور نانولوله ی کربنی
شکل 2-1. اربیتال
شکل 2-2. هیبرید
شکل 2-3. ساختار
شکل 2-4. شبکه گرافیت
شکل 2-5. یاخته ی واحد گرافیت
شکل2-6. یاخته ی واحدنانولوله ی کربنی
شکل 2-7. گونه های متفاوت نانولوله های کربنی
شکل 2- 8. تبهگنی خطوط مجاز در نانولوله ی کربنی
شکل 2-9. مؤلفه های ماتریس ثابت نیرو
فهرست جدول ها:
جدول 2-1 عناصر ماتریس ثابت نیرو
فهرست نمودارها:
نمودار 2-1. نوار انرژی الکترونی گرافیت
نمودار 2-2. نوار انرژی الکترونی نانولوله ی کربنی
نمودار 2-3. چگالی حالات در نانولوله ی کربنی
نمودار 2-4. نوار سه بعدی انرژی فونونی گرافیت
نمودار 2-5. نوار انرژی فونونی در راستای خطوط متقارن منطقه اول بریلوئن
نمودار 2-6. نوار انرژی فونونی نانولوله ی کربنی
نمودار 3-1. سطح فرمی در نانولوه های کربنی
نمودار 3-2. منطقه ی تکرار شونده در نانولوله های کربنی
نمودار 3-3. نقاط متقارن در مسئله پراکندگی
نمودار 4-1. نرخ پراکندگی در دو نانولوله ی زیگزاگ و
نمودار 4-2. وابستگی دمایی نرخ پراکندگی
نمودار4-3. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی نانولوله ی
نمودار4-4. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی نانولوله ی
نمودار 4-5. وابستگی سرعت میانگین الکترون به دما در نانولوله ی کربنی
نمودار 4-6. توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ
نمودار 4-7. نمودار جریان – ولتاژ در مورد نانولوله های زیگزاگ
نمودار 4-8. مقاومت نانولوله های مختلف
فهرست پیوست ها:
پیوست الف: توضیح روال واگرد
چکیده انگلیسی
منابع و مأخذ:
[1] G. Moore, Electronics, 38, (1965), 114.
[2] A. Bahari, P. Morgen, Surface Science, 602, (2008), 2315.
[3] Y.X. Liang, T.H. Wang, Physica E, 23, (2004), 232.
[4] Christian Klinke, Ali Afzali, Chemical Physics Letters, 430, (2006), 75.
[5] Jing Guo, Mark Lundstrom, and Supriyo Datta, Applied Physics Letters, 80, (2002),3192.
[6] Ph. Avouris, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, Physica B, 323, (2002), 6.
[7] H. Raffi-Tabar, Physics Reports, 390, (2004), 235.
[8] Jianwei Che, Tahir¸ Cagin and William A Goddard, Nanotechnology, 10, (1999), 263.
[9] Qingzhong Zhao, Marco Buongiorno Nardelli and J.Bernholc, Physical Review B
, 65, (2002) 144105.
[10] Paul L. McEuen, Michael S. Fuhrer and Hongkun Park, IEEE Transactions on Nanotechnology, 1, (2002), 78.
[11] S. Iijima and T. Ichihashi, Nature, 363, (1993), 603.
[12] K.B.K. Teo., IEE Proc.-Circuits Devices Syst. 151, (2004), 443.
[13] Rodney S.Ruoff, DongQian, WingKam Liu, C.R.Physique, 4, (2003), 993.
[14] Cheung, C. L., Kurtz, A., Park, H. and Lieber, CMJ Phys. Chem B, 106, (2002), 2429.
[15] Y. Kobayashi, H. Nakashima, D. Takagi and Y. Homma, Thin Solid Films, 464, (2004), 286
[16] Anazawa, Kazunori, Shimotani, Kei, Manabe, Chikara, Watanabe, Hiroyuki and Shimizu, Masaaki, Applied Physics Letters, 81, (2002), 739.
[17] Lee Seung Jong, Baik Hong Koo, Yoo Jae eun and Han Jong hoon, Diamond and Related Materials, 11, (2002), 914.
[18] T. Guo, P. Nikolaev, A. Thess, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Chemical Physics Letters, 243, (1995), 49.
[19] E. Yoo, L. Gao, T. Komatsu, N. Yagai, K. Arai, T. Yamazaki, K. Matsuishi, T.Matsumoto, and J. Nakamura, J. Phys. Chem. B, 108, (2004), 18903.
[20] Bae-HorngChen , Jeng-Hua Wei , Po-Yuan Lo , Hung-Hsiang Wang , Ming-Jinn Lai , Ming-JinnTsai, Tien Sheng Chao , Horng-Chih Lin and Tiao-Yuan Huang, Solid-State Electronics, 50, (2006), 1341.
[21] Ji-YongPark, Nanotechnology, 18, (2007), 095202.
[22] Madhu Menon, Physical Review Letters, 79, (1997), 4453.
[23] R.Satio, M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, Physical Properties Of Carbon Nanotubes, Imperial College Press, ISBN 1-86094-093-5, (1998).
[24] Jens Peder Dahl, Introduction to the Quantum World of Atoms and Molecules, World Scientific Publishing Company, ISBN: 9810245653, (2001).
[25] Leonard L. Schiff, Quantum Mechanics 1st Edition, McGraw – Hill Book Company, ISBN: 0070552878, (1948).
[26] Charles Kittle, Introduction to solid state physics 7th edition, John Wiley and Sons, ISBN: 0-471-11181-3, (1996).
[27] Neil W. Ashcroft, N. David Mermin, Solid State Physics, Saunders College Publishing, ISBN: 0-03-083993-9, (1976).
[28] J. J. Sakurai, Modern Quantum Mechanics, Addision – Wesley Publishing, ISBN: 0-201-53929-2, (1994).
[29] R. A. Jishi, L. Venkataraman, M. S. Dresselhaus, and G. Dresselhaus, Chemical Physics Letters, 209, (1993), 77.
[30] YXiao ,XHYan ,JXCao and JWDing, J.Phys. Condense Matter, 15, (2003), 341.
[31] A. S. Davydov, Quantum Mechanics, Pergamon Pr, ISBN: 0080204376, (1976).
[32] G. Pennington and N. Goldsman, Physical Review B, 68, (2003), 45426.
[33] G. Pennington and N. Goldsman, IEICE Transactions on Electronics, 86, 372 (2003).
[34] S. Saito and A. Zettle, Carbon Nanotubes Quantum Cylinders of Graphene, Elsevier, ISBN: 978-0-444-53276-3, (2008).
[35] Xinjian Zhou, Carbon Nanotube Transistors, Sensors, and Beyond, In Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy, Cornell University, (2008).
[36] Ali Javey, Hydoungsub Kim, Markus Brink, Qian Wang, Ant Ural, Jing Guo, Paul Mcintyre, Paul Mceuen, Mark Lundstrom and Hongjie Dai, Nature materials, 1, (2002), 241.
[37] J. M. Zeeman, Electrons and Phonons, The International Series Of Monographs On Physics, ISBN:0-19-580779-8, (1960).
[38] JingGuo, MarkLundstrom, Applied Physics Letters, 86, (2005), 193103.
[39] Anisur Rahman, Jing Guo, Supriyo Datta and Mark S. Lundstrom, IEEE Transactions on Electron Devices, 50, (2003), 1853.
[40] D.V. Pozdnyakov, V.O. Galenchik, F.F. Komarov, V.M. Borzdov, Physica E, 33 (2006) 336.
[41] R. Mickevicius, V. Mitin and U. K. Harithsa, J. Applied Physics, 75, (1994), 973.
[42] Yung-Fu Chen and M. S. Fuhrer, Physical Review Letters, 95, (2005), 236803
فرمت فایل word: (لینک دانلود پایین صفحه) تعداد صفحات : 11 صفحه
مقدمه:
بدن انسان با توجه به ماهیت و جنس هادی خود همواره به عنوان یک هادی برق و در واقع یک مسیر برای برگشت جریان از طریق خود به منبع تولید قلمداد می گردد. بنابراین در صورت قرارگیری انسان یا موجود زنده بر بوی آن در صورت اتصال یک عضو برقدار الکتریکی می تواند بخشی از حلقه برگشت جریان قرار گیرد.
اولین اثر جریان الکتریکی تداخل و تأثیر بر فعالیت های الکتریکی ـ بیولوژیکی بدن انسان است این شرایط باعث از هم گسیختگی الگوی رفتاری الکتریکی اندام های بدن شده و می تواند موجب بروز پی آمد های بسیار ناگوار برای انسان شود.
جریان الکتریکی همچنین می تواند با اعمال اثرات ژولی باعث افزایش درجه حرارت بافت های بدن شود. در برخی شرایط درجه حرارت تا 300 درجه سانتیگراد بالا می رود.
تشابه بدن انسان و یک سیستم الکتریکی:سطح سلولی بدن انسان مانند یک سیستم الکتریکی است که در آن جریانی از اطلاعات مورد نیاز اندام های بدن توسط عناصری به نام بار الکتریکی مثبت و منفی منتقل می گردد. عملکرد انقباض و انبساط که نتیجه عملکرد یک سیستم الکتریکی بیولوژیکی است نمونه ای از این سیستم است.
نوع فایل: word
قابل ویرایش 40 صفحه
مقدمه:
1-1-تعاریف ومفاهیم اصلی درروشنایی معابر
1-1-1-ترتیب نصب
ترتیب نصب در واقع به نحوه ی قرار گرفتن پایه های روشنایی نسبت به یکدیگر اشاره می کند.ارایش پایه ها شامل چهارحالت نصب زیگزاگ،نصب روبه رو،نصب دریک طرف ونصب دروسط
1-1-2-فاصله نصب
فاصله بین دوپایه متوالی درهر حالت نصب،فاصله نصب نام دارد.این فاصله به موازات خط مرکزی معبر اندازه گیری می شود.
1-1-3-مرکز فتومتریک
درصورتی که لامپ رایک منبع نور متمرکز،به صورت یک نقطه نورانی،درنظربگیریم آن نقطه مرکزفتومتریک نامیده می شود.
1-1-4-ارتفاع نصب
فاصله عمودی بین مرکز فتومتریک وسطح معبر،ارتفاع نصب نام دارد.(شکل 1-1)
فهرست مطالب:
فصل اول
1-1 تعاریف و مفاهیم اصلی در روشنایی معابر
فصل دوم
تقسیم بندی معابر شهری
2-1 مقدمه تقسیم بندی معابر شهری
فصل سوم
3-1 دستورالعملهای طراحی روشنایی معابر
فهرست اشکال:
شکل 1-1 : مشخصات قسمت های مختلف پایه
شکل 1-2 : آزمایش شارژ روشنایی اولیه لامپ
شکل 2-1 : مقطع عرضی نمونه از راه شریانی درجه 1
شکل 2-2 : مقطع عرضی نمونه از راه شریانی درجه 1
شکل 2-3 : مقطع عرضی نمونه از راه شریانی درجه 2
شکل 2-4 : مقطع عرضی نمونه از راه شریانی درجه 2
شکل 3-1 : آرایش نمونه برای یک میدان با چهار ورودی
شکل 3-2 : آرایش نمونه برای یک میدان کوچک در تقاطع نوع T
شکل 3-3 : آرایش نمونه برای یک میدان با سه ورودی
شکل 3-4 : طرح روشنایی یک چهارراه
شکل 3-5 : وضعیت پایه ها در اطراف محل عبور عابرین ، نصب زیگزاگ
شکل 3-6 : وضعیت پایه ها در اطراف محل عبور عابرین ، نصب روبرو
فهرست جداول:
جدول 2-1 : سرعت مجاز و سرعتهای طرح پیشنهادی برای انواع راههای شهری
جدول 2-2 : معیارهای سنجش کیفیت ترافیک قسمتهای اصلی آزاد راهها و بزرگ راهها
جدول 2-1 : معیار کیفیت ترافیک ئر راههای شریانی درجه 2
جدول 2-1 : حداقل حریم یا حریم توصیه شده از لبه راه جهت نصب پایه
جدول 2-1 : ضریب نگهداری چراغ
جدول 2-1 : حداقل شدت روشنایی متوسط در معابر مختلف
جدول 2-1 : حداقل میانگین شدت روشنایی در مسیرهای پیاده و دوچرخه
جدول 2-1 : پخش نور مجاز چراغهای روشنایی در مجاورت فرودگاهها
نوع فایل: word
قابل ویرایش 160 صفحه
مقدمه:
اصطلاح اتو ماسیون صنعتی به طور عام مربوط به علوم و تکنولوژی کنترل پروسه است و شامل کنترل فرایند های متفاوتی در صنعت است. این بحث امروزه در مجامع صنعتی بصورت خیلی عادی رایج است و در بسیاری از اماکن صنعتی به مرحله اجرا در آمده است.
توسعه در کنترل و صنعتی سازی امکان پیشرفت بیشتر و گسترده تر پروسه های پیچیده و دخالت دادن تکنولوژیهای جدید و استفاده از مزایای اقتصادی آنها را فراهم ساخته است و لازم است به این نکته مهم متذکر شویم که اقتصادی کردن سیستمها زیر ساخت پیشرفتهای آن بوده و هست وهمین پیشرفت ها منجر به این شد که اقبال عمومی نظر به سیستمهای تمام توماتیک داشته باشد.
یکی از قایلیتهای مهم خودکار سازی وجود تجهیزات قابل انعطاف یا به عبارتی انعطاف پذیری است که به اختصار می توان به شکل زیر تعریف کرد: سازگاری آرام و پیوسته در تغییر یک کارخانه با رعایت استفاده بهینه از امکانات موجود و گام برداشتن به سوی پیشرفت با رعایت انطباق با سیستمهای قدیمی و بالا بردن قابلیتها و کیفیت تولید و بهینه سازی در مواد اولیه مصرفی و انرژی.
این خواسته سیستمها را به سوی طراحی و ساخت مجتمعهای تمام کامپیوتری CIM هدایت کرد. این مقوله روی نمایش پروسه ها در زمان کنترل تولید و قابلیت تقسیم کار بین قسمتها و طراحی فراورده ها با مواد اولیه و انرژی مصرفی و زمان کم و کیفیت بالا تمرکز دارد.
در هر صنعتی اتوماسیون سبب بهبود تولید می گردد که این بهبود هم در کمیت ومیزان تولید موثر است و هم در کیفیت محصولات.هدف از اتوماسیون این است که بخشی از وظایف انسان در صنعت به تجهیزات خودکار واگذار گردد.بسیاری از کارخانه ها کارگران خود را برای کنترل تجهیزات می گمارند و کارهای اصلی را به عهده ماشین می گذارند. کارگران برای اینکه کنترل ماشینها را به نحو مناسب انجام دهند لازم است که شناخت کافی از فرایند کارخانه و ورودیهای لازم برای عملکرد صحیح ماشینها داشته باشند.یک سیستم کنترل باید قادر باشد فرایند را با دخالت اندک یا حتی بدون دخالت اپراتورها کنترل نماید.در یک سیستم اتوماتیک عملیات شروع،تنظیم و توقف فرایندبا توجه به متغیر های موجود توسط کنترل کننده سیستم انجام می گیرد.
فهرست مطالب:
مقدمه
فصل اول
« مقدمه ای بر سیستم های کنترل »
کنترل و اتوماسیون
انواع فرایندهای صنعتی
استراتژی کنترل
انواع کنترلرها
سیر تکاملی کنترل کننده ها
فصل دوم
« انتقال اطلاعات در صنعت »
معماری شبکه
استانداردهای معروف لایه فیزیکی شبکه های صنعتی
معرفی واسط های انتقال و عوامل موثر در انتقال
پروتکل ها و استانداردها
فصل سوم
« کنترل کننده های برنامه پذیر PLC »
سخت افزار PLC
زبان های برنامه نویسی PLC
ارتباط بین چندین PLC
فصل چهارم
« سیستم های کنترل گسترده DCS »
ساختار سیستم های DCS
سطوح کاری
اصول کاری سیستم های DCS
کاربردها
فصل پنجم
« سیستم های اتوماسیون APACS »
Controller Configuration Software
سخت افزار سیستم APACS
بسته های نرم افزاری APACS
بسته های سخت افزاری APACS
شرح مدار ماژول کنترل +ACM
فصل ششم
« سیستم های SCADA »
SCADA چیست؟
ارتباطات
واسط ها
فصل هفتم
« سیستم های FIELD BUS و مقایسه آنها با سیستم های DCS »
نحوه عملکرد سیستم های FCSدر مقایسه با DCS
دسته بندی فیلد باس
توپولوژی های فیلد باس
مقایسهFCS و DCS و مزایا و معایب آنها نسبت به یکدیگر