پروژه بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 85 صفحه

چکیده:

پس از کشف نانولوله های کربنی توسط ایجیما و همکارانش بررسی های بسیار زیادی بر روی این ساختارها در سایر علوم انجام شده است. این ساختارها به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان داده اند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. در اینجا به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی زیگزاگ که به عنوان یک کانال بین چشمه و دررو قرار داده شده پرداختیم و نحوه ی توزیع جریان در ترانزیستور های اثر میدانی را در شرایط دمایی و میدان های مختلف بررسی کرده ایم. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانولوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. نتایج بررسی ها نشان می دهد تحرک پذیری الکترون در نانولوله های کربنی متفاوت به ازای میدان های مختلفی که در طول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بیشینه ای را خواهد گرفت. بنا بر این در طراحی ترانزیستورها با توجه به مشخصه های هندسی ترانزیستور و اختلاف پتانسیلی که بین چشمه و دررو آن اعمال می شود باید نانولوله ای را انتخاب کرد که تحرک پذیری مناسبی داشته باشد.

واژه های کلیدی

نانولوله ی کربنی، ترانزیستور اثر میدانی، مدل ثابت نیرو ، تحرک پذیری الکترون

مقدمه:

با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال 1965 نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر 18 ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می شود [1]. این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال 2010 باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد [2]. جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند [3و4].

در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت [5و6].

کربن با عدد اتمی 6 در گروه ششم جدول تناوبی قرار دارد. این عنصر ترکیب اصلی موجودات زنده را در بر گرفته است. بنا بر این بیشتر دانشمندان سعی می کنند ترکیبات کربنی را در شاخه ی شیمی آلی بررسی کنند. این عنصر از دیر باز برای انسان به صورت دوده و ذغال چوب شناخته شده بود. گونه-های متفاوت دیگری از کربن نیز وجود دارند که تفاوت این گونه ها صرفاً به شکل گیری اتم های کربن نسبت به هم یا به ساختار شبکه ای آن ها بر می گردد.

فهرست مطالب:

مقدمه

فصل اول

مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن

1-1 مقدمه

1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت

1-2-1 کربن بیشکل

1-2-2 الماس

1-2-3 گرافیت

1-2-4 فلورن و نانو لولههای کربنی

1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید - نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولولهی کربنی

فصل 2

بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی

2-1 مقدمه

2-2 ساختار الکترونی کربن

2-2-1 اربیتال p2 کربن

2-2-2 روش وردشی

2-2-3 هیبریداسون اربیتالهای کربن

2-3 ساختار هندسی گرافیت و نانولولهی کربنی

2-3-1 ساختار هندسی گرافیت

2-3-2 ساختار هندسی نانولولههای کربنی

2-4 یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی

2-4-1 یاختهی واحد صفحهی گرافیت

2-4-2 یاخته واحد نانولولهی کربنی

2-5 محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی

2-5-1 مولکولهای محدود

2-5-2 ترازهای انرژی گرافیت

2-5-3 ترازهای انرژی نانولولهی کربنی

2-5-4 چگالی حالات در نانولولهی کربنی

2-6 نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی

2-6-1 مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت

2-6-2 رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی

فصل 3

پراکندگی الکترون فونون

3-1 مقدمه

3-2 تابع توزیع الکترون

3-3 محاسبه نرخ پراکندگی کل

3-4 شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون

3-6 ضرورت تعریف روال واگرد

فصل 4

بحث و نتیجه گیری

4-1 مقدمه

4-2 نرخ پراکندگی

4-3 تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی

4-4 بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون

4-4-1 بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

4-4-2 بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

4-4-3 بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

4-4-3 بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا

نتیجه گیری

پیشنهادات

ضمیمهی (الف) توضیح روال واگرد.

منابع

چکیده انگلیسی

فهرست شکل ها :

 شکل1-1. گونه های مختلف کربن

شکل 1-2. ترانزیستور اثر میدانی

شکل 1-3. ترانزیستور نانولوله ی کربنی

شکل 2-1. اربیتال

شکل 2-2. هیبرید

شکل 2-3. ساختار

شکل 2-4. شبکه گرافیت

شکل 2-5. یاخته ی واحد گرافیت

شکل2-6. یاخته ی واحدنانولوله ی کربنی

شکل 2-7. گونه های متفاوت نانولوله های کربنی

شکل 2- 8. تبهگنی خطوط مجاز در نانولوله ی کربنی

شکل 2-9. مؤلفه های ماتریس ثابت نیرو

فهرست جدول ها:

جدول 2-1 عناصر ماتریس ثابت نیرو

فهرست نمودارها:

نمودار 2-1. نوار انرژی الکترونی گرافیت

نمودار 2-2. نوار انرژی الکترونی نانولوله ی کربنی

نمودار 2-3. چگالی حالات در نانولوله ی کربنی

نمودار 2-4. نوار سه بعدی انرژی فونونی گرافیت

نمودار 2-5. نوار انرژی فونونی در راستای خطوط متقارن منطقه اول بریلوئن

نمودار 2-6. نوار انرژی فونونی نانولوله ی کربنی

نمودار 3-1. سطح فرمی در نانولوه های کربنی

نمودار 3-2. منطقه ی تکرار شونده در نانولوله های کربنی

نمودار 3-3. نقاط متقارن در مسئله پراکندگی

نمودار 4-1. نرخ پراکندگی در دو نانولوله ی زیگزاگ  و

نمودار 4-2. وابستگی دمایی نرخ پراکندگی

نمودار4-3. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی  نانولوله ی

نمودار4-4. تابع توزیع در میدان ضعیف و قوی  نانولوله ی

نمودار 4-5. وابستگی سرعت میانگین الکترون به دما در نانولوله ی کربنی

نمودار 4-6. توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ

نمودار 4-7. نمودار جریان – ولتاژ در مورد نانولوله های زیگزاگ

نمودار 4-8. مقاومت نانولوله های مختلف

فهرست پیوست ها:

پیوست الف: توضیح روال واگرد

چکیده انگلیسی

منابع و مأخذ:

[1] G. Moore, Electronics, 38, (1965), 114.

[2] A. Bahari, P. Morgen, Surface Science, 602, (2008), 2315.

[3] Y.X. Liang, T.H. Wang, Physica E, 23, (2004), 232.

[4] Christian Klinke, Ali Afzali, Chemical Physics Letters, 430, (2006), 75.

[5] Jing Guo, Mark Lundstrom, and Supriyo Datta, Applied Physics Letters, 80, (2002),3192.

[6] Ph. Avouris, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, Physica B, 323, (2002), 6.

[7] H. Raffi-Tabar, Physics Reports, 390, (2004), 235.

[8] Jianwei Che, Tahir¸ Cagin and William A Goddard, Nanotechnology, 10, (1999), 263.

[9] Qingzhong Zhao, Marco Buongiorno Nardelli and J.Bernholc, Physical Review B

, 65, (2002) 144105.

[10] Paul L. McEuen, Michael S. Fuhrer and Hongkun Park, IEEE Transactions on Nanotechnology, 1, (2002), 78.

[11] S. Iijima and T. Ichihashi, Nature, 363, (1993), 603.

[12] K.B.K. Teo., IEE Proc.-Circuits Devices Syst. 151, (2004), 443.

[13] Rodney S.Ruoff, DongQian, WingKam Liu, C.R.Physique, 4, (2003), 993.

[14] Cheung, C. L., Kurtz, A., Park, H. and Lieber, CMJ Phys. Chem B, 106, (2002), 2429.

[15] Y. Kobayashi, H. Nakashima, D. Takagi and Y. Homma, Thin Solid Films, 464, (2004), 286  

[16] Anazawa, Kazunori, Shimotani, Kei, Manabe, Chikara, Watanabe, Hiroyuki and Shimizu, Masaaki, Applied Physics Letters, 81, (2002), 739.

[17] Lee Seung Jong, Baik Hong Koo, Yoo Jae eun and Han Jong hoon, Diamond and Related Materials, 11, (2002), 914.

[18] T. Guo, P. Nikolaev, A. Thess, D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Chemical Physics Letters, 243, (1995), 49.

[19] E. Yoo, L. Gao, T. Komatsu, N. Yagai, K. Arai, T. Yamazaki, K. Matsuishi, T.Matsumoto, and J. Nakamura, J. Phys. Chem. B, 108, (2004), 18903.

[20] Bae-HorngChen , Jeng-Hua Wei , Po-Yuan Lo , Hung-Hsiang Wang , Ming-Jinn Lai ,  Ming-JinnTsai, Tien Sheng Chao , Horng-Chih Lin and Tiao-Yuan Huang, Solid-State Electronics, 50, (2006), 1341.

[21] Ji-YongPark, Nanotechnology, 18, (2007), 095202.

[22] Madhu Menon, Physical Review Letters, 79, (1997), 4453.

[23] R.Satio, M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, Physical Properties Of Carbon Nanotubes, Imperial College Press, ISBN 1-86094-093-5, (1998).

[24] Jens Peder Dahl, Introduction to the Quantum World of Atoms and Molecules, World Scientific Publishing Company, ISBN: 9810245653, (2001).

[25] Leonard L. Schiff, Quantum Mechanics 1st Edition, McGraw – Hill Book Company, ISBN: 0070552878, (1948).

[26] Charles Kittle, Introduction to solid state physics 7th edition, John Wiley and Sons, ISBN: 0-471-11181-3, (1996).

[27] Neil W. Ashcroft, N. David Mermin, Solid State Physics, Saunders College Publishing, ISBN: 0-03-083993-9, (1976).

[28] J. J. Sakurai, Modern Quantum Mechanics, Addision – Wesley Publishing, ISBN: 0-201-53929-2, (1994).

[29] R. A. Jishi, L. Venkataraman, M. S. Dresselhaus, and G. Dresselhaus, Chemical Physics Letters, 209, (1993), 77.

[30] YXiao ,XHYan ,JXCao and JWDing, J.Phys. Condense Matter, 15, (2003), 341.

[31] A. S. Davydov, Quantum Mechanics, Pergamon Pr, ISBN: 0080204376, (1976).

[32] G. Pennington and N. Goldsman, Physical Review B, 68, (2003), 45426.

[33] G. Pennington and N. Goldsman, IEICE Transactions on Electronics, 86, 372 (2003).

[34] S. Saito and A. Zettle, Carbon Nanotubes Quantum Cylinders of Graphene, Elsevier, ISBN: 978-0-444-53276-3, (2008).

[35] Xinjian Zhou, Carbon Nanotube Transistors, Sensors, and Beyond, In Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy, Cornell University, (2008).

[36] Ali Javey, Hydoungsub Kim, Markus Brink, Qian Wang, Ant Ural, Jing Guo, Paul Mcintyre, Paul Mceuen, Mark Lundstrom and Hongjie Dai, Nature materials, 1, (2002), 241.

 [37] J. M. Zeeman, Electrons and Phonons, The International Series Of Monographs On  Physics, ISBN:0-19-580779-8, (1960).

[38] JingGuo, MarkLundstrom, Applied Physics Letters, 86, (2005), 193103.

[39] Anisur Rahman, Jing Guo, Supriyo Datta and Mark S. Lundstrom, IEEE Transactions on Electron Devices, 50, (2003), 1853.

[40] D.V. Pozdnyakov, V.O. Galenchik, F.F. Komarov, V.M. Borzdov, Physica E, 33 (2006) 336.

 [41] R. Mickevicius, V. Mitin and U. K. Harithsa, J. Applied Physics, 75, (1994), 973.

 [42] Yung-Fu Chen and M. S. Fuhrer, Physical Review Letters, 95, (2005), 236803

پروژه حسابداری با موضوع حسابداری و حسابرسی دولتی. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 95 صفحه

مقدمه:

از آنجائیکه جوامع بشری همواره در حال پیشرفت و دستیابی به نا شناخته ها  میباشند و با توجه به اینکه نقش فعالیتهای مالی در هر توسعه ای غیر قابل انکار است. نیاز به توسعه حسابداری روز به روز افزایش می یابد . در  قرون وسطی مرسوم بوده است که فرمانروایان مالیاتها را جمع آوری     می نمودند و آن را در جهت رفع نیازهای مالی مربوط به توسعه کار املاک به مصرف می رساندند. از وظایف حسابداران دراین زمان یکی تهیه صورتی ازاموال افراد جهت خزانه داری فرمانروا به منظور اخذ مالیات و دیگر تهیه گزارش سفر افرادی که به کار تجارت بین کشورها اشتغال داشته اند بوده است. این گزارش در پایان هر سفر و به منظور تعیین سود و زیان مربوط به آن تهیه می گردید . درقرون۱۳ و۱۴ به دلیل رشد عملیات تجاری تحولاتی در سیستم نگهداری حساب بوجود آمد . انتشار کتاب ریاضیات (لوکاپاچولی ـ۱۴۹۴م ) که چند فصلی از آن اختصاص به حسابداری داشت موجب گسترش فن دفتر داری ۲ طرفه  در سراسر اروپا گردید .  وی یک کشیش ایتالیائی و در واقع یک ریاضیدان بود که در این کتاب مهارت تجزیه و تحلیلگری خود را در جهت توصیف سیستم حسابداری ۲ طرفه بکار برد . کتاب پاچولی با وجود اینکه اشاره ای به دوره مالی و نگهداری حسابهای مربوط به دارائیهای ثابت ندارد و نیز تمایزی بین اموال شخصی صاحب موسسه و سازمان تجاری وی نگذاشته است . به دلیل سادگی و داشتن ارزشهای علمی در طی قرون ۱۵ و ۱۶ به اغلب زبانها ترجمه و مورد استفاده قرار گرفت . با تولد انقلاب صنعتی در انگلستان نیاز رو به تزاید به حسابداری توسعه یافت .در آمریکا هم پس از به بوقوع پیوستن انقلاب صنعتی سرمایه های شخصی زیادی درکمپانیها وارد گردید وموجب توسعه هر چه بیشتر آنها شد و در نتیجه بوجود آمدن غولهای صنعتی قرن ۲۰ سیستمهای حسابداری از اهمیت بیشتری برخوردار گردیدند .

با اشاره ای که شد  در می یابیم که حسابداری همزمان با پیشرفت وضعیت اقتصادی توسعه و تکامل پیدا نمود .اطلاعات حسابداری از صدها هزار سال قبل برای استفاده کنندگان آن موجود بوده است . باوجود آنکه حسابداری دوطرفه را در قرن پانزدهم لوکا پاچولی در ایتالیا بصورت موثر درآورده است اما اساس آن به 3000 سال قبل از آن برمی گردد . از این رو ساختار رسمی برای پردازش عملیات برای شخصیتهای واحدهای اقتصادی وبازرگانی تقریباً مربوط به 700 سال گذشته است . حسابداری دوطرفه موقعی پا به عرصه وجود گذاشت که باید شرایط خاص آن زمان را مورد بررسی قرار داد و آن شرایط در حال حاضر وجود ندارد . لیتیلتون بیان می کند که دفترداری دوطرفه بر اثر ضروریات خاص یا سوابق آن به دوره فلز(چیزی که درآن زمان بیشتر مورد استفاده قرار می گرفت ) و زبان (وسیله ای برای بیان و توضیح فلز) بر می گردد .

برای نوع اول مالکیت خصوصی ، سرمایه و اعتبار لیست شده است و برای نوع دوم کتابت ، پول و ریاضی لیست شده است . لیتیلتون ادعا دارد که این ضروریات خاص اگرچه در شکل و فرم قابل تشخیصی ارائه شده لکن در تمدن باستان این ضروریات برای پیدایش حسابداری دو طرفه وجود نداشته است . تمدن باستان مربوط به دوران مصریها ، بابلیها (ازجمله سومری ها ) ، یونانیها و رومیها می باشد . اگرچه حسابداری دوطرفه در ایتالیا به وجود آمد لکن گسترش و توسعه آن در جهان غرب بوده است . در جریان فروپاشی تمدنهای باستانی ، چرخ اختراع شد و ارابه ابداع گردید همچنین استفاده از اسیران جنگی بعنوان برده و برای کار اجباری در کشاورزی و در کارهای ساختمانی معمول شد . این عوامل امکان لشکرکشی های بزرگ و فتح سرزمینهای دوردست را فراهم کرد و بر تمایل به گسترش قلمرو فرمانروایان افزود و در نهایت به ایجاد امپراطوریهای بزرگ انجامید که امپراطوریهای روم و ایران از آن جمله اند . وسعت قلمرو یک امپراطوری از یک سو حجم و مقدار مبادلات را زیادتر و متنوع تر کرد و از سوی دیگر جمع آوری و نقل و انتقال مقادیر بزرگی از باج و خراجها. را در مسافرتهای دور  ضروری ساخت استفاده از سکه های طلا و نقره در معاملات ، پیامد این تحولات است . تعیین رابطه مبادله ثابت بین انواع سکه های رایج د ر یک امپراطوری مبادلات را تسهیل کرد و حسابداری را پیشرفت و گسترش داد .

فهرست مطالب:

عنوان

گفتار اول : تاریخچه حسابداری و حسابرسی

تاریخچه

دوران نظام فئودالی و ارباب رعیتی

دوران رنسانس و سرمایه داری تجاری

دوران انقلاب صنعتی

حسابداری حرفه ای و حسابرسی

نظام های پارلمانی ، بودجه و حسابداری دولتی

حسابرسی در شرکتهای تجاری

گفتار دوم : حسابداری چیست ؟

مقدمه 

حسابداری نظام اطلاعاتی مالی است 

تعریف حسابداری دولتی

مشخصات یک موسسه دولتی

تفاوت سازمان های انتفاعی و بازرگانی با سازمانهای غیر انتفاعی دولتی

مقایسه حسابداری دولتی و حسابداری بازرگانی

کاربرد حسابداری دولتی

استفاده کنندگان حسابداری دولتی

مبانی حسابداری

- مبنای نقدی

- مبنای تعهدی

- مبنای نیمه تعهدی

- مبنای تعهدی تعدیل شده

- مبنای نقدی تعدیل شده

بودجه بندی

کنترل بودجه

مفهوم کارایی و اثر بخشی در بودجه

نقطه سر به سر

حسابداری بهای تمام شده

روش های طبقه بندی هزینه ها

مراکز هزینه

انواع هزینه ها در هر یک از مراکز هزینه

گفتار سوم : شفافیت بودجه ای و نقش حسابداری دولتی

مقدمه

ارتباط حسابداری ، بودجه و پاسخگویی

شرایط لازم برای تحقق حداقل استاندارد شفافیت بودجه ای

سیستم حسابهای ملی

سیستم آمارهای مالی دولت

صورتهای مالی اساسی در سیستم آمارهای مالی دولت

تغییر نظام بودجه ریزی در ایران

گفتار چهارم : حسابرسی

مقدمه

تعریف و هدف حسابرسی

فلسفه و جایگاه حسابرسی

انواع حسابرسی

تحول در متدولوژی حسابرسی

تحول در هدفهای حسابرسی

گفتار پنجم : حسابرسی دولتی

اهمیت و نقش برنامه عملی حسابرسی مالی و عملیاتی بخش عمومی

شناخت حسابرسان

اقدامات عمومی و کلی حسابرسان در محل کار

نکات کلی در حسابرسی

سیر تحول تاریخی در متدولوژی دیوان محاسبات کشور

برنامه حسابرسی سنتی

1- روش رسیدگی به تراز عملیات مالی ( صورت حساب دریافت و پرداخت )

2- برنامه حسابرسی دفاتر

3- برنامه حسابرسی گروه حسابهای درآمد عمومی

4- برنامه حسابرسی گروه حسابهای سنوتی

5- برنامه حسابرسی تضمینات

6- برنامه حسابرسی گروه حسابهای اوراق بهادار

7- برنامه حسابرسی اعتبار اسنادی

ساختار نظارت در نظام اداری و مالی کشور

الف- واحدهای درون سازمانی

ب- واحدهای برون سازمانی

ارزیابی عملکرد دستگاههای اجرایی ناظر در سطح کشور

الف- وزارت امور اقتصادی و دارایی

ب- سازمان مدیریت و برنامه ریزی

ج- سازمان بازرسی کل کشور

د- سازمان حفاظت محیط زیست

گفتار ششم : حسابداری و حسابرسی دولتی و ارتباط آنها با پاسخگویی

حسابداری و حسابرسی دولتی و ارتباط آنها با پاسخگویی

منابع و مآخذ

منابع و مأخذ:

1) حسابرسی دولتی-  حسینی عراقی ، سید حسین – نشر دانشکده امور اقتصادی ( 16 اسفند 1384)

2) استانداردهای حسابرسی دولتی – مترجم قوامی ، محمد علی – ویراستار مدرس ، احمد – نشر سازمان حسابرسی ، کمیته حسابرسی عملیاتی ( 5 تیر 1386)

3) نشریه حسابرس

4) سایت اینترنتی                   www. Payvast . com

پروژه رشته اقتصاد در مورد صنعت جهان گردی. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 28 صفحه

مقدمه:

بر اساس آخرین داده های سازمان جهانی جهانگردی ،که در ژانویه سال 2000 گردآوری و در ماه مارس 2000 انتشار یافته است، تعداد گردشگران در سطح جهان در سال 1999 برایر با 657 میلیون نفر بوده است ،کهنسبت به سال قبل ،رشدی برابر با 3.2% داشته است .در همین سال نیز درآمد جهانی حاصل از جهانگردی برابر با ،حدود 455 بیلیون دلار آمریکا بوده است.

طبق آخرین داده ها (در سال 1999) فرانسه درصدر کشور های توریست پذیر جهان قرار داشته و بعد ازآن به ترتیب کشور های اسپانیا،آمریکا،ایتالیا،چین،انگلیس،مکزیک،کانادا،لهستان و اتریش قرار داشته اند .

در سال 99 ایالات متحده آمریکا بیشترین درآمد ارزی رااز صنعت جهانگردی جهانی با درآمدی بالغ بر 73 بیلیون دلار به خود اختصاص داده است .همینطور بشترین هزینه پرداخت شده در صنعت جهانگردی نیز توسط ایلات متحده آمریکا برابر با 56.1 بیلیون دلار در سال 1998 بوده است.

فهرست مطالب:

صنعت جهانگردی در جهان

صنعت جهانگردی در ایران

صنعت جهانگردی ایران بعد ازانقلاب

جهانگردی و امنیت اجتماعی

توسعه منابع انسانی در بخش جهانگردی

منابع

منابع و مأخذ:

جهانگردی در چشم اندازی جامع نوشته دکتر علی پارساییان و دکتر سید محمد اعرابی

برنامه توسعه منابع انسانی در بخش جهانگردی کشور (برگرفته از برنامه ملی توسعه گردشگری کشور تدوین شده توسط سازمان جهانی جهانگردی/ بخش فرهنگی سازمان ملل/ سازمان ایرانگردی 1379-1381)

پروژه رشته نرم افزار با عنوان سیستم دبیرخانه. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 115 صفحه

چکیده:

سیستم دبیرخانه شامل کلاسهای نامه های ورودی و نامه های خروجی واشخاص حقیقی و حقوقی و کاربران اصلی سیستم می باشداشخاص حقیقی و حقوقی نامه هایی را از / به سازمان دریافت / ارسال می کنندو کاربر اصلی سیستم نیز دارای یک یا چند سمت سازمانی میباشد یعنی به یک بخش یا بخشهایی از سازمان دسترسی دارد که این کاربر قادر به ارسال/ دریافت و ارجاع و پاسخ به نامه از / به سمت بالا دست یا سمت پایین دست می باشد.

مقدمه:

امروز برای سهولت کار و بالا بردن کارآیی و سرعت عمل از سیستم های رایانه ای و برنامه کاربردی در همه جای دنیا استفاده می کنند. سیستم دبیر خانه کار شده دارای امکانات خوبی که به کاربران اجازه فعالیت مستمر را در زمان کمتر میدهد. در منوی این برنامه که اطلاعات کلید وجود دارد که از بخشهای چون تعریف سازمانی، تعریف اشخاص حقیقی و حقوقی و نیز چارت سازمانی در آن گنجانده شده، گزینه عملیات که ثبت نامه های ورودی و خروجی انجام می دهد و گزارشات که نامه های وارده را بر حسب شماره و تاریخ و مبدا و همچنین نامه های صادره بر حسب شماره و تاریخ و مقصد نشان می دهد و گزینه امکانات که فقط یک ماشین حساب می باشد که برای استفاده کاربر گنجانده شده و غیره که با آشنایی با سیستم به آن پی خواهیم برد. این سیستم طی 4 ماه فعالیت به عمل آمده و برای یک پروژه دانشگاهی مناسب است و با محیط ویژوال بیسیک ساخته شده و کارایی خوبی دارد.

فهرست مطالب:

چکیده

مقدمه

فصل1: سیستم دبیر خانه نیاز یا اجبار

فصل2: مروری بر C#.NET

فصل3: مقدمه ای بر SQL Server2000

فصل4: تجزیه تحلیل در رشنال روز

فصل5: توضیحات فرم و کد فرمتها

نتیجه گیری

ضمیمه 1

فهرست منابع

منابع و مأخذ:

کتاب آموزشی Visual Basic 6.0 ویژوال بیسیک 6 نام نویسنده:  انتشارات: تهران

آموزش فنی حرفه ای Visual Basicویژوال بیسیک نام نویسنده: علیرضا باقری،انتشارات: تهران

ایجاد نرم افزار دبیر خانه با استفاده از ویژوال بیسیک 6 نام نویسنده: افشین محمدی،انتشارات:دانشگاه آزاد

طراحی دبیر خانه در ویژوال بیسیک نام نویسنده: هاشمی بشیری، انتشارات: دانشگاه آزاد

کتاب Visual Basic ویژوال بیسیک نام نویسنده: مهندس عین ا.. جعفر نژاد قمی- مهندس رمضان عباس نژاد، انتشارات: علوم رایانه

Microsoft SQL Server

Implementation Training 7.0 Database

Borland C#.NET builder

Softsteel Solutions C#.NET

Events and event handling in C#.NET By Nish (http://www.codeproject.com/ )

Handling Events In C#.NET By Biswajit Sarkar (http://www.csharphelp.com/)

پروژه استاندارد طراحی روشنایی معابر. doc

نوع فایل: word

قابل ویرایش 40 صفحه

مقدمه:

1-1-تعاریف ومفاهیم اصلی درروشنایی معابر

1-1-1-ترتیب نصب

ترتیب نصب در واقع به نحوه ی قرار گرفتن پایه های روشنایی نسبت به یکدیگر اشاره می کند.ارایش پایه ها شامل چهارحالت نصب زیگزاگ،نصب روبه رو،نصب دریک طرف ونصب دروسط

1-1-2-فاصله نصب

فاصله بین دوپایه متوالی درهر حالت نصب،فاصله نصب نام دارد.این فاصله به موازات خط مرکزی معبر اندازه گیری می شود.

1-1-3-مرکز فتومتریک

درصورتی که لامپ رایک منبع نور متمرکز،به صورت یک نقطه نورانی،درنظربگیریم آن نقطه مرکزفتومتریک نامیده می شود.

1-1-4-ارتفاع نصب

فاصله عمودی بین مرکز فتومتریک وسطح معبر،ارتفاع نصب نام دارد.(شکل 1-1)

فهرست مطالب:

فصل اول

1-1 تعاریف و مفاهیم اصلی در روشنایی معابر

فصل دوم

تقسیم بندی معابر شهری

2-1 مقدمه تقسیم بندی معابر شهری

فصل سوم

3-1 دستورالعملهای طراحی روشنایی معابر

فهرست اشکال:

شکل 1-1 : مشخصات قسمت های مختلف پایه

شکل 1-2 : آزمایش شارژ روشنایی اولیه لامپ

شکل 2-1 : مقطع عرضی نمونه از راه شریانی درجه 1

شکل 2-2 : مقطع عرضی نمونه از راه شریانی درجه 1

شکل 2-3 : مقطع عرضی نمونه از راه شریانی درجه 2

شکل 2-4 : مقطع عرضی نمونه از راه شریانی درجه 2

شکل 3-1 : آرایش نمونه برای یک میدان با چهار ورودی

شکل 3-2 : آرایش نمونه برای یک میدان کوچک در تقاطع نوع T

شکل 3-3 : آرایش نمونه برای یک میدان با سه ورودی

شکل 3-4 : طرح روشنایی یک چهارراه

شکل 3-5 : وضعیت پایه ها در اطراف محل عبور عابرین ، نصب زیگزاگ

شکل 3-6 : وضعیت پایه ها در اطراف محل عبور عابرین ، نصب روبرو

فهرست جداول:

جدول 2-1 : سرعت مجاز و سرعتهای طرح پیشنهادی برای انواع راههای شهری

جدول 2-2 : معیارهای سنجش کیفیت ترافیک قسمتهای اصلی آزاد راهها و بزرگ راهها

جدول 2-1 : معیار کیفیت ترافیک ئر راههای شریانی درجه 2

جدول 2-1 : حداقل حریم یا حریم توصیه شده از لبه راه جهت نصب پایه

جدول 2-1 : ضریب نگهداری چراغ

جدول 2-1 : حداقل شدت روشنایی متوسط در معابر مختلف

جدول 2-1 : حداقل میانگین شدت روشنایی در مسیرهای پیاده و دوچرخه

جدول 2-1 : پخش نور مجاز چراغهای روشنایی در مجاورت فرودگاهها