نمایش سلوشن مشکل شارژ USB گوشی Samsung GT-S5360 با لینک مستقیم

موضوع :

نمایش سلوشن مشکل شارژ USB گوشی Samsung GT-S5360 با لینک مستقیم

میتوانید فایل آموزشی این مدل گوشی را از طریق لینک مستقیم دانلود نمایید.

آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور

دسته بندی :

فرمت فایل:   doc 
حجم فایل:  (در قسمت پایین صفحه درج شده)
تعداد صفحات فایل:  36

 فروشگاه کتاب : مرجع فایل

 قسمتی از محتوای متن Word 

نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها

نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.

ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.

ژرمانیم دارای عدد اتمی‌32 می‌باشد .

این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.

این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .

اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.

بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.

د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.

بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.

  1.                       نیمه هادی نوع N وP

از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود  در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.

بنابرین هر اتم  آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.

در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل هدایت فوق حامل اکثریت و به حفره ها حامل اقلیت می‌گویند.

هرگاه به عناصر نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم ، یک ماده 3 ظرفیتی مانند آلومنیوم یا گالیم تزریق شود، سه الکترون مدار آخر آلومنیوم با سه الکترون سه اتم سیلیسیم یا ژرمانیم مجاور ، تشکیل پیوند اشتراکی می‌دهند . پیوند چهارم دارای کمبود الکترون و در واقع یک حفره تشکیل یافته است .

هر اتم سه ظرفیتی، باعث ایجاد یک حفره می‌شود، بدون اینکه الکترون آزاد ایجاد شده باشد. در این نیمه هادی ناخالص شده، الکترون ها فقط در اثر شکسته شدن پیوندها بو جود می‌آیند.

نیمه هادی هایی که ناخالصی آنها از اتم های سه ظرفیتی باشد، نوع P [6] می‌نامند .

حفره ها در این نیمه هادی به عنوان حامل های اکثریت و الکترون ها به عنوان حاملهای اقلیت وجود دارد، تبدیل یک نیمه هادی نوع p وn و بالعکس بوسیله عملی به نام «جبران»(Compensation) امکان پذیر می‌باشد[7].

2.                       اتصال PN و تشکیل نیمه های دیود

لحظه ای که دو قطعه نیمه هادی نوع P وN را به هم پیوند می‌دهیم، از آنجایی که الکترون ها و حفره ها قابل انتقال می‌باشند، الکترون های موجود در نیمه هادی نوع N به خاطر بار الکتریکی مثبت حفره ها ، جذب حفره ها می‌گردند. لذا در محل اتصال نیمه هادی نوع P وN ، هیچ الکترون آزاد و حفره وجود ندارد.  

3ـ1) لایه تهی

گرایش الکترونهای طرف n پخش شدن در تمامی‌جهات است. بعضی از آنها از پیوندگاه می‌گذرند. وقتی الکترونی وارد ناحیه p می‌شود، یک حامل اقلیتی به حساب می‌آید.

وجود تعداد زیادی حفره در اطراف این الکترون باعث می‌شود که عمر این حامل اقلیتی کوتاه باشد. یعنی الکترون بلافاصله پس از ورود به ناحیه p به داخل یک حفره فرو می‌افتد. با این اتفاق ، حفره ناپدید و الکترون نوار رسانش به الکترون ظرفیت تبدیل می‌شود.

هر بار که یک الکترون از پیوندگاه می‌گذرد، یک زوج یون تولید می‌کند. دایره هایی که درون آنها علامت مثبت است، نماینده یو نهای مثبت و دایره های با علامت منفی نماینده یو نهای منفی اند . به دلیل بستگی کوالانسی ، یونها در ساختار بلوری ثابت اند و مانند الکترونهای نوار رسانش یا حفره ها نمی‌توانند به این سو و آن سو حرکت کنند.

هر زوج یون مثبت و منفی را دو قظبی می‌نامیم . ایجاد یک به معنی این است که یک الکترون نوار رسان ش و یک حفره از صحنه عمل خارج شده اند. ضمن اینکه تعداد دو قطبیها افزایش می‌یابد ، ناحیه ای در نزدیکی پیو ندگاه از بارهای متحرک خالی از بار را لایه تهی می‌نامیم .

3ـ2) پتانسیل سد

هر دو قطبی دارای یک میدان الکتریکی است . بردارها جهت نیروی وارد به بار مثبت را نشان می‌دهند. بنابراین ، وقتی الکترونی وارد لایه تهی می‌شود، میدان الکتریکی سعی می‌کند الکترون را به درون ناحیه n به عقب براند. با عبور هر الکترون، شدت میدان افزایش می‌یابد تا آنکه سرانجام گذرالکترون ازپیوندگاه متو قف می‌شود.

در تقریب دوم ، باید حاملهای اقلیتی رانیز منظور کنیم . به خاطر داشته باشیم که طرف p دارای تعداد الکترون نوار رسانش است که از گرما ناشی می‌شوند. آنها که در داخل لایه تهی واقع اند توسط میدان به ناحیه n برده می‌شوند. این عمل شدت میدان را اندکی کاهش می‌دهد و تعداد کمی‌حاملهای اکثریتی از طرف راست به چپ اجازه عبورمی‌یابند تا میدان به شدت قبلی خود بگردد. به محلی که در آن الکترون ها و حفره ها وجود ندارند را ناحیه تخلیه[8] یا سر کنندگی می‌نامند.    

حال تصویر نهایی تعادل را در پیوندگاه ارائه می‌دهیم:

تعداد کمی‌حاملهای اقلیتی از یک طرف پیوندگاه به طرف دیگر سوق می‌یابند. عبور آنها میدان را کاهش می‌دهد مگر اینکه، تعداد کمی‌حاملهای اکثریتی از پیوندگاه با عمل پخش گذر کنند و شدت میدان را به مقدار اولیه برگردنند

میدان موجود بین یونها معرف اختلاف پتانسیلی است که به آن پتانسیل سد می‌گوییم . پتانسیل سد کنندگی برای نیمه هادی سیلیسیم بین 6/0 تا 7/0 ولت و برای نیمه هادی ژرمانیم بین 2/0 تا 3/0 ولت می‌نامند.

مقدار ولتاژی که لازم است تا سد کنندگی مورد نظر در پیوند PN خنثی شود را ولتاژ سد کنندگی می‌نامند و آن را با Vy نشان می‌دهند.

هنگام هدایت دیود ، افت ولتاژ دو سر آن در حالت ایده آل صفر و در حالت واقعی ، برابر مقدار ولتاژ سد کنندگی می‌باشد.

قطب منفی منبع به بلور n، و قطب مثبت آن به بلور p متصل است. این نوع اتصال را بایاس مستقیم می‌نامیم.

هرگاه پتانسیل منفی به آند(A) و پتانسیل مثبت به کاتد (K) وصل شود، دیود هدایت نمی‌کند و این حالت را بایاس مخالف دیود می‌نامند.

منبع dc را  وارونه می‌بندیم تا بایاسی معکوس برای دیود برقرار شود.

میدانی که از خارج اعمال می‌شود با میدان لایه تهی هم جهت است. به این دلیل ، حفره ها و الکترونها به سوی دو انتهای بلوار عقب نشینی می‌کنند (از پیوندگاه دور می‌شوند) . الکترونهای دور شونده پشت سر خود یونهای مثبت بر جای می‌گذارند ، و حفره هایی که می‌روند یونهای منفی باقی می‌گذارند . بنابراین لایه تهی پهنتر می‌شود .هر چه بایاس معکوس بزرگتر باشد لایه تهی پهنتر است.  

وقتی حفره ها و الکترونها از پیوندگاه دور می‌شوند، یونهای نوزاد اختلاف پتانسیل بین دو طرف لایه تهی را افزایش می‌دهند.

 هر چه لایه تهی پهنتر می‌شود ، این اختلاف پتانسیل بزرگتر است. افزایش پهنای لایه تهی وقتی متوقف می‌شود که اختلاف پتانسیل آن با ولتاژ معکوس اعمال شده مساوی باشد.

هنگام قطع دیود ، مقاومت دو سر آن زیاد می‌باشد و مانند یک مدار باز عمل می‌کند.

با توجه به حالت های بررسی شده در خصوص دیود ، منحنی مشخصه ، زیرا به دست می‌آوریم.

3ـ3 ولتاژ شکست

اگر ولتاژ معکوس را افزایش دهیم سرانجام به ولتاژ شکست می‌رسیم ، در دیودهای یکسو ساز(آنهای که ساخته شده اند تا در یک جهت بهتر از جهت دیگر رسانایی داشته باشند)، ولتاژ شکست معمولاً ازV 50 بیشتر است.

همین که ولتاژ شکست فرا می‌رسد، تعداد زیادی حامل اقلیتی در لایه تهی ظاهر می‌شود و رسانش شدید می‌شود.

در بایاس معکوس الکترون به راست و حفره به چپ رانده می‌شود. سرعت الکترون ، ضمن حرکت زیاد می‌شود .

[1] winkler

[2] Gilosake

[3] Tanard

[4] Dopping

[5] Negative

[6] Positive

[7] Martin Hartley Jonws،

روشهای الکترونیک از تئوری تا عملی، بهزاد رضوی و همایون نیکوکار، انتشارات باستان،5،1361

[8] Deplition  Region

(توضیحات کامل در داخل فایل)

متن کامل را می توانید دانلود نمائید چون فقط تکه هایی از متن در این صفحه درج شده به صورت نمونه

ولی در فایل دانلودی بعد پرداخت، آنی فایل را دانلود نمایید

بررسی کوره های القایی در فرکانس شبکه

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 95
حجم فایل: 3792

بخشی از متن:

خلاصه:
امروزه کوره های القائی یکی از اساسی ترین نیازهای صنعت می باشد و در واقع می توان گفت بسیاری از صنایع به نوعی به این نوع کوره ها وابستگی دارند. این کوره ها انواع مختلفی دارند که دراین پایان نامه سعی شده است یکی از پر کاربرد ترین آنها، کوره های القائی ذوب با فرکانس شبکه مورد بررسی قرارگیرد.
در این پایان نامه سعی بر تدوین دانش فنی در زمینه کوره های القائی ذوب با فرکانس شبکه بوده است تا در آینده مورد استفاده صنعتگران و دانش پژوهان قرارگیرد. مسائلی از قبیل انواع کوره های ذوب، حفاظت کوره ها، مساله تصحیح ضریب قدرت و متعادل کردن بار در این پایان نامه مورد توجه قرار گرفته است.
ابتدا سعی شده است اصول کلی گرمایش القائی با استفاده از قانون الکترو مغناطیس فاردای و در واقع طرز کار کلی کوره القائی بیان گردد. درادامه، انواع کوره های القائی ذوب با فرکانس شبکه مورد بررسی قرارمی گیرند و نحوه عملکرد هریک بیان می شود. سپس تجهیزات جانبی این نوع کوره ها مورد توجه قرارمی گیرد. پس از آن بررسی مدارهای مورد استفاده به منظور جبران سازی ضریب قدرت و متعادل سازی پرداخته می شود. درانتها نحوه انتخاب پارامترهای این نوع کوره ها بیان می گردد.

فهرست مطالب:
    خلاصه
فصل اول: مقدمه و کلیات
    مقدمه
    1-1- تاریخچه مختصری ازگرمایش القائی
    1-2- طبقه بندی کوره های القائی ازنظرفرکانس
    1-3- کاربرد گرمایش القائی درصنعت
فصل دوم: اصول گرمایش القائی و مزایای آن نسبت به سایر روشها
    2-1- مقدمه
    2-2- اساس گرمایش القائی
    2-3- اساس کارکوه القائی
    2-4- توزیع جریان گردابی دریک میله توپر
    2-5- مزایای گرمایش القائی نسبت به سایرروش ها گرمادهی
فصل سوم: انواع کوره های القائی ذوب (فرکانس شبکه)
    3-1- مقدمه
    3-2- کوره های القائی بدون هسته
    3-3 – کوره القائی کانالی
    3-3-1- کوره القائی کانالی خودریز
فصل چهارم: تجهیزات جانبی ونقش آنها در عملکرد کوره های القائی
    4-1- مقدمه
    4-2- سیستم های حفاظتی
    4-2-1- وسیله ایمنی اتصال زمین
    4-2-2- رله فشاری
    4-2-3- رله های ولتاژ زیاد وجریان زیاد
    4-2-4- رله های حرارت زیاد
    4-2-5- تخلیه بار خازن ها
    4-3- سیستم خنک کنندگی
    4-4- مواد دیرگذار
    4-4-1آسترکشی کوره
    4-5- سیستم تخلیه مذاب
    4-6- بانک خازن
    4-6-1 حفاظت خازن ها
    4-7- سیم پیچ کوره های القائی
    4-7-1 ضریب کیفیت سیم پیچ کوره
    4-8- ترانسفورماتور
    4-9- سلف کوره های القائی
    4-10 – طرح کلی یک کوره القائی
    4-11- مسئله « پل » درکوره های القائی
    4-12- خطرقراضه های مرطوب
فصل پنجم: اصول جبران سازی بار و متعادل کردن آن
    5-1- مقدمه
    5-2- تصحیح ضریب قدرت وجبران سازی
    5-3-متعادل کردن بار
    5-3-1 مدارمتعادل کننده ایده آل
فصل ششم: انتخاب مشخصات اصلی کوره های القائی ذوب
    6-1- مقدمه
    6-2- انتخاب مشخصات ظاهری کوره
    6-3- انتخاب فرکانس مناسب
    6-4- انتخاب توان مورد نیاز
    6-5- انتخاب ظرفیت کوره
فصل هفتم: بحث و نتیجه گیری
    نتیجه گیری و پیشنهاد
    منابع و مراجع

دانلود پاورپوینت آموزش ساخت پاورپوینت - 8 اسلاید

. شاید بعضی ها طراحی های پاورپوینت های ما را پیچیده بدانند در حالی ساده ترین نوع طراحی را ما استفاده می کنیم و ذحمتی برایمان ندارد تنها وقت می خواهد تا تصمیم گرفته شود چگونه آنرا در یک پاورپوینت جا داد.ولی حال یکی دیگر موارد مهم در پاورپوینت سازی خلاصه نویسی متن است که البته این متن آموزشی را شامل نمی شود. بسیاری از دانش آموزان از طریق همین روش شاید چیز جدیدی را می آموختند ولی به خاطر کپی برداری از روی کتاب درسی از زیبایی متن کاسته بودند. متن کتاب درسی را اگر مو به مو بخواهید بنویسید یک پاورپوینت خشک و بی روح تولید می شود بنابراین باید تک تک سوالات متن درس را دید ( البته نه سوال های بخش های فعالیت ها و فکر کنید ها در واقع همان هایی که در متن اصلی هستند) و برایشان جواب پیدا کرد و به ازای اینکه سوال را بنویسیم جواب را بنویسیم. مورد مهم دیگر بخش بندی کردن است. پاورپوینت های متفرقه را اگر ببینید می فهمید که در هر کدام از آنها یک چیز زیاد از حد زشت است و آن هم این است که متنی را توضیح می دهند و هنگامی که می خواهند به صفحه بعد برای ادامه توضیحات روند یک سوال در آن صفحه است و باید به صفحه بعد از آن رفت تا ادامه متن را دید در صورتی که می توان در صفحه ای جداگانه تمام سوالات را قرار داد یا در صفحه ای جداگانه تصاویر را قرار داد.مورد دیگر که آخری است مربوط به اندازه فونت است

برای دانلود کل پاورپوینت از لینک زیر استفاده کنید:

دانلود پاورپوینت درس 6 جامعه شناسی سوم انسانی - 9 اسلاید قابل ویرایش

••-جهان اجتماعی در خصوصیات روحی افراد اثر گذار است -یک جامعه می تواند امکان رشد و برخی از فضایل و رذایل را از بین ببرد یا زمینه رشد آنها را فراهم کند -مثال: در جامعه آپارتاید (نژاد پرستی ) امکان رشد برای همه انسانهانیست و رنگ پوست ملاک برتری است -در جامعه معنوی توحیدی ، هویت اخلاقی و الهی انسان با علم ، تقوی ارزیابی می شود و امکان رشد معنوی وجود دارد مانند تحول جهان اجتماعی جامعه جاهلی عرب پس از ورود اسلام

-خصوصیات اخلاقی و روانی انسانها نیز در جهان اجتماعی تاثیرگذار است

-برخی از آدمیان به دلیل شایستگی های روحی و روانی خود ، مسیر زندگی اجتماعی انسان ها را دگرگون می سازند .-مثال 1: تاثیر امام خمینی بر جامعه ی ایران  که ایشان با تقوای خود توانستند مسیر تاریخ جامعه ایران ، امت اسلام را دگرگون سازند. امیرکبیر در زمان ناصرالدین شاه -مثال2: پادشاهان ظالمی که در طول تاریخ وجود داشته اند مثل نمرود ، فرعون ،و هم چنین هیتلر فجایع تاریخی که بوجود آورد .

"مناسب برای دبیران، دانش آموزان و اولیاء"

برای دانلود کل پاورپوینت از لینک زیر استفاده کنید: